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J-GLOBAL ID：201802269219784997   整理番号：18A1723516

CdCu_3Ti_4O_12セラミックの誘電特性と粒界応答に及ぼすZrドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Zr doping on dielectric properties and grain boundary response of CdCu₃Ti₄O₁₂ ceramics

著者 (6件)： Peng Zhanhui (Key Laboratory for Macromolecular Science of Shaanxi Province, Shaanxi Key Laboratory for Advanced Energy Devices, School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an 710062, Shaanxi, China) ,  Liang Pengfei (School of Physics and Information Technology, Shaanxi Normal University, Xi’an 710062, Shaanxi, China) ,  Xiang Yichen (Key Laboratory for Macromolecular Science of Shaanxi Province, Shaanxi Key Laboratory for Advanced Energy Devices, School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an 710062, Shaanxi, China) ,  Peng Hui (Key Laboratory for Macromolecular Science of Shaanxi Province, Shaanxi Key Laboratory for Advanced Energy Devices, School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an 710062, Shaanxi, China) ,  Chao Xiaolian (Key Laboratory for Macromolecular Science of Shaanxi Province, Shaanxi Key Laboratory for Advanced Energy Devices, School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an 710062, Shaanxi, China) ,  Yang Zupei (Key Laboratory for Macromolecular Science of Shaanxi Province, Shaanxi Key Laboratory for Advanced Energy Devices, School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an 710062, Shaanxi, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 16  ページ： 20311-20321  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdCu_3Ti_4O_12セラミックの誘電特性を改善するための効果的な戦略を,ゾル-ゲル法を用いてTi4+サイトに置換したZr4+をドーピングすることによって提案した。高密度化した試料のSEM画像は微細粒で均一なサイズの微細構造を示し,セラミックの平均粒径はZrドーピング量の増加と共に減少した。CdCu_3Zr_xTi_4-xO_12セラミックにおける適切な量のZr置換は,誘電損失正接を低下させるのに非常に有益であった。CdCoO-Zr05セラミックは1kHzで0.048の比較的低い誘電損失正接値を示した。一方,改善された粒界応答と誘電特性は,強化された粒界抵抗と密接に関連していた。複素インピーダンス分光法評価に基づいて得られたデータは,試料の巨大誘電率が内部障壁層キャパシタ(IBLC)効果に起因することを示した。スケーリング挙動の重なり分光法は,CdCu_3Zr_xTi_4-xO_12セラミックで示された電気伝導と誘電緩和機構が本研究で同じであることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電緩和 ,  *ドーピング ,  *結晶粒界 ,  微細構造 ,  *誘電性 ,  ゾル-ゲル法 ,  *ジルコニウム ,  コンデンサ ,  誘電損失 ,  *セラミック ,  電気伝導
準シソーラス用語： バリア層 ,  巨大誘電率 ,  複素インピーダンス ,  SEM画像 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CdCu_3Zr_xTi_4-xO_12 ,  粒界 ,  誘電特性 ,  複素インピーダンス ,  電気伝導 ,  誘電緩和

分類 (3件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： セラミック ,  誘電特性 ,  粒界 ,  応答 ,  Zr ,  ドーピング