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J-GLOBAL ID：201802269365236982   整理番号：18A2234751

ガラス上の液相結晶シリコンのくし形背面接触シリコンヘテロ接合の性能に及ぼすドーピング濃度と接触形状の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of doping concentration and contact geometry on the performance of interdigitated back-contact silicon heterojunction of liquid phase crystalline silicon on glass

著者 (7件)： Trinh Cham Thi (Institut fuer Silizium Photovoltaik, Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, 12489, Germany) ,  Bokalic Matevz (LPVO, Faculty of Electrical Engineering, University of Ljubljana, Ljubljana, 1000, Slovenia) ,  Preissler Natalie (Institut fuer Silizium Photovoltaik, Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, 12489, Germany) ,  Trahms Martina (Institut fuer Silizium Photovoltaik, Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, 12489, Germany) ,  Schlatmann Rutger (PVcomB, Helmholtz Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Berlin, 12489, Germany) ,  Amkreutz Daniel (Institut fuer Silizium Photovoltaik, Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, 12489, Germany) ,  Topic Marko (LPVO, Faculty of Electrical Engineering, University of Ljubljana, Ljubljana, 1000, Slovenia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： WCPEC  ページ： 3218-3222  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,液相結晶化シリコン(LPC-Si)を有する櫛型背面接触シリコンヘテロ接合(IBC-SHJ)セルにおけるドーピング濃度と接触形状の影響について報告した。最高の平均セル効率を得るための最適条件として,1080μmのエミッタ幅での3×10~16cm~3のドーピング濃度と120μmのバック表面電界(BSF)フィンガー幅を実証した。光ビーム誘起電流(LBIC),光ルミネセンス(PL),エレクトロルミネセンス(EL)などの空間分解法を用いて電流損失を調べた。LBIC記録は,背面磁場(BSF)フィンガーが十分に不動態化されず,2.6~2.7mA/cm2の損失を引き起こすことを示した。粒界(GB)/転位は,主に,11~12%の相対損失に対応する3.6~4.0mA/cm2の電流損失に寄与した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *液相 ,  *ドーピング ,  *ガラス ,  結晶粒界 ,  磁場 ,  エレクトロルミネセンス ,  電場 ,  *ケイ素 ,  最適条件 ,  光ルミネセンス ,  *ヘテロ接合 ,  電流 ,  *櫛形 ,  不動態化 ,  光子ビーム

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (8件)： ガラス ,  液相 ,  結晶シリコン ,  くし形 ,  背面接触 ,  シリコン ,  ヘテロ接合 ,  ドーピング