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J-GLOBAL ID：201802269416823035   整理番号：18A0078642

銅とモリブデン基多層膜におけるとSnの結晶化中の過冷却【Powered by NICT】

Supercooling during the crystallization of in and Sn in copper and molybdenum based multilayer films

著者 (3件)： Petrushenko S. I. (V. N. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine [e-mail]) ,  Bloshenko Z. V. (V. N. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine [e-mail]) ,  Skryl O. I. (V. N. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine [e-mail])
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NAP  ページ： 01PCSI13-1-01PCSI13-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過冷却をその場電気抵抗測定法による銅またはモリブデンの層の間に置かれたすずおよびインジウムの結晶化が研究した。Cu/InおよびCu/Sn-膜加熱は多層膜の微細構造の均質化と合金と化合物の生成を伴うことを示した。,膜抵抗の温度依存性のグラフに観察される,一連の不規則な及び不可逆的特徴が上記プロセスと同時に起こる。これらのプロセスは,システム中の遊離スズまたはインジウムの量の減少をもたらした。低融点成分の結晶化中の過冷却の研究はかなり複雑な目的であるが,同時に,それは他のプロセス研究への可能性を開くものである。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 融点 ,  *多層膜 ,  微細構造 ,  *過冷却 ,  インジウム ,  *スズ ,  温度依存性 ,  *結晶化 ,  *モリブデン ,  均質化 ,  合金 ,  *銅
準シソーラス用語： 膜抵抗 ,  電気抵抗測定 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 銅 ,  モリブデン ,  多層膜 ,  Sn ,  結晶化 ,  過冷却