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J-GLOBAL ID：201802269502088220   整理番号：18A0578124

延性バルクナノ結晶Ni-B合金を製造するためのトリメチルアミンボランの間欠を添加した電着【Powered by NICT】

Electrodeposition with intermittent addition of trimethylamine borane to produce ductile bulk nanocrystalline Ni-B alloys

著者 (4件)： Matsui Isao (Structural Materials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 2266-98 Shimo-Shidami, Moriyama-ku, Nagoya 463-8560, Japan) ,  Omura Naoki (Structural Materials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 2266-98 Shimo-Shidami, Moriyama-ku, Nagoya 463-8560, Japan) ,  Yamamoto Takahisa (Department of Materials Design Innovation Engine, Nagoya University, Furocho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Takigawa Yorinobu (Department of Materials Science, Osaka Prefecture University, 1-1, Gakuen-cho, Sakai, Osaka 599-8531, Japan)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 337  ページ： 411-417  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bを有する電着NiをドープNi-B合金の延性バルク電着物を生成する技術を開発した。TMABは,電着の前に電着浴へBドーピング源として添加した,従来の方法は第一層のみに影響し,バルク電着物中のNi-B合金と純Niの二層を生成した。これら不均一試料は貧弱な引張特性を示した,Ni-B合金の層で示したプロセス欠陥のためである。TMABは電着中に分解し,水素ガスを発生するので,これらの欠陥が生成した。とは対照的に,TMABが電着中に間欠的に添加した,Bドーピングのために開発された技術は成長方向に0.04at.%のより均一なB含有量を生成した。B分布は粒径が約28nmの均一なナノ結晶構造をもたらした。バルクナノ結晶Ni-B合金の試料は1.45GPaの高い引張強度と7.6%の良好な引張伸びを示した。開発Bドーピング法は,ホウ素化合物の加水分解の有害な影響を回避し,良好な延性を有する電着バルクナノ結晶Ni-B合金を生成することができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単一層 ,  *合金 ,  引張強さ ,  *ナノ結晶 ,  ドーピング ,  粒径 ,  *電着 ,  伸び ,  *ニッケル ,  *延性 ,  加水分解 ,  ホウ素化合物
準シソーラス用語： 水素ガス ,  引張特性 ,  電着物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 電着 ,  ナノ結晶合金 ,  ニッケルほう素 ,  トリメチルアミンボラン ,  Microstructure ,  機械的性質

分類 (1件)： 電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (8件)： 延性 ,  バルク ,  ナノ結晶 ,  Ni ,  B合金 ,  トリメチルアミンボラン ,  間欠 ,  電着