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J-GLOBAL ID：201802269622700107   整理番号：18A1145446

銅めっきp型選択エミッタPERCシリコン太陽電池のための266nm PSレーザアブレーション【JST・京大機械翻訳】

266-nm ps Laser Ablation for Copper-Plated p-Type Selective Emitter PERC Silicon Solar Cells

著者 (12件)： Hsiao Pei-Chieh (School of Photovoltaics and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Song Ning (School of Photovoltaics and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Wang Xi (School of Photovoltaics and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Shen Xiaowei (School of Photovoltaics and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Phua Benjamin (School of Photovoltaics and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Colwell Jack (School of Photovoltaics and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Romer Udo (School of Photovoltaics and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Johnston Benjamin (Department of Physics, Macquarie University, Sydney, NSW, Australia) ,  Lim Sean (Mark Wainwright Analytical Centre, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Shengzhao Yuan (State Key Laboratory of PV Science and Technology, Trina Solar Ltd., Changzhou, China) ,  Verlinden Pierre (State Key Laboratory of PV Science and Technology, Trina Solar Ltd., Changzhou, China) ,  Lennon Alison (School of Photovoltaics and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 8  号： 4  ページ： 952-959  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,p型選択エミッタ(SE)不動態化エミッタおよび後部セル(PERC)への266nmピコ秒(ps)レーザアブレーションおよび銅(Cu)めっきメタライゼーションの応用について報告した。266nm psレーザの使用により,ランダムに組織化したSi太陽電池表面上のシリコン(Si)窒化物反射防止被覆(ARC)の355nm psレーザアブレーションで観測されるように,類似のレーザ誘起周期的表面構造が得られた。さらに,266nm psレーザアブレーションは,レーザアブレーション表面における基本的な歪んだ結晶Si層をもつ非晶質Siの形成をもたらすことを示した。重ドープSE領域へのレーザアブレーション開口部の整列の成功は,CuめっきSE PERCセルのスクリーン印刷制御に匹敵するセル効率をもたらし,最大セル効率はCuめっきセルに対して達成された。めっきセルの性能は再結合損失によって制限され,特に非理想的な再結合が浅いエミッタの使用によって引き起こされ,スクリーン印刷メタライゼーションのために最適化された。重ドープ領域における0.52μmの接合深さをもつSEのエンジニアリングは,擬似充填因子の0.3%の絶対増加をもたらし,レーザアブレーションSi表面からp-n接合を置換することの重要性を実証した。355nm psレーザアブレーションは,Cuめっきセルの以前の報告において強いブスバー接着をもたらすことが実証されているが,完全にめっきしたSE PERCセルのブスバー接着における著しい変動は266nm psレーザアブレーションにより生じた。この予測により,ARC厚さに対する266nmレーザアブレーションの感度増加と,表面酸化物が,めっき前のウエハを横切って均一に除去されない可能性が,けい化物形成の均一性,したがって,めっきされた母線の密着性に影響を及ぼす可能性がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  再結合 ,  アモルファスシリコン ,  ケイ化物 ,  ドーピング ,  *太陽電池 ,  接着 ,  スクリーン印刷 ,  *レーザアブレーション ,  *めっき ,  最適化 ,  ケイ素 ,  *レーザ ,  メタライゼーション ,  不動態化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 銅めっき ,  エミッタ ,  シリコン太陽電池 ,  PS ,  レーザアブレーション