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J-GLOBAL ID：201802269659488985   整理番号：18A1689311

ボロフェン構造の磁化,磁化率およびヒステリシス曲線【JST・京大機械翻訳】

Magnetization, the susceptibilities and the hysteresis loops of a borophene structure

著者 (6件)： Zou Cheng-Long (School of Science, Shenyang University of Technology, Shenyang 110870, China) ,  Guo De-Qiang (School of Science, Shenyang University of Technology, Shenyang 110870, China) ,  Zhang Fan (School of Science, Shenyang University of Technology, Shenyang 110870, China) ,  Meng Jiang (School of Science, Shenyang University of Technology, Shenyang 110870, China) ,  Miao Hai-Ling (School of Science, Shenyang University of Technology, Shenyang 110870, China) ,  Jiang Wei (School of Science, Shenyang University of Technology, Shenyang 110870, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 104  ページ： 138-145  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボロフェン構造の磁気特性を,相関を有する有効場理論によって初めて研究した。この方法をグラフェンの磁気機構の解析に成功裏に用いた。中央六方晶空孔を有する36のホウ素原子から成るボロフェンをIsingモデルによって記述することができた。ボロフェンに対する磁化の一般式を与えた。出現磁気特性の可能な物理的機構を実証した。交換結合の効果と磁化の異方性,ブロッキング温度とボロフェンのヒステリシスループについて議論した。磁化曲線の最大値のような実験で予測した磁性を試験する可能性も示した。著者らの研究は,地球に富む非磁性ホウ素材料を用いることにより,新しいタイプの記憶スイッチングまたはセンサの設計の機会を提供する可能性がある。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁性 ,  センサ ,  六方晶系 ,  異方性 ,  *磁化率 ,  *ヒステリシス ,  Ising模型 ,  *磁化 ,  ホウ素 ,  スイッチング ,  グラフェン ,  磁気
準シソーラス用語： 磁化曲線 ,  ヒステリシスループ ,  *ボロフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ボロフェン構造 ,  磁化 ,  感受性 ,  ブロッキング温度

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  磁性理論  (BM06020X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ボロフェン ,  磁化 ,  磁化率