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J-GLOBAL ID：201802269688364581   整理番号：18A1767765

ab initio検証によるvan der Waals積層MOS_2官能化グラフェン量子ドット複合体における共鳴エネルギー移動【JST・京大機械翻訳】

Resonant energy transfer in a van der Waals stacked MoS₂- functionalized graphene quantum dot composite with ab initio validation

著者 (11件)： Roy Rajarshi (Thin Film and Nanoscience Laboratory, Dept. of Physics, Jadavpur University, Kolkata-700032, India. [e-mail]) ,  Thapa Ranjit ,  Biswas Shibsankar ,  Saha Subhajit ,  Ghorai Uttam Kumar ,  Sen Dipayan ,  Kumar E. Mathan ,  Kumar Gundam Sandeep ,  Mazumder Nilesh ,  Roy Dipayan ,  Chattopadhyay Kalyan Kumar
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 35  ページ： 16822-16829  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンに基づくvan der Waals(vdW)ヘテロ構造は,励起子準粒子の放出を伴う構造層間の励起電荷移動動力学を容易にすることができる。しかし,このようなヘテロ構造の化学的形成は,今までのところ不明であった。本研究では,簡単な化学的アプローチを記述し,可変同調光ルミネセンス(PL)のエネルギー移動機構を調べるために,数層MoS_2シート埋め込み量子ドット(QD)とアミン官能化グラフェン量子ドット(GQDs)を用いて,そのようなvan der Waals(vdW)ヘテロ構造を形成した。著者らの発見は,GQD/MoS_2複合体形成後の機能性GQD PL強度の消光による興味深い非放射Foerster型エネルギー移動を明らかにし,0Dと2D系に類似した既存の電荷移動動力学を検証した。vdW相互作用によるGQDからMoS_2層へのエネルギー移動特性の非放射型を,積層配置における伝導帯に対する状態密度におけるFermi準位のシフトによる光ルミネセンス,時間減衰解析およびab initio計算により確認した。これらの結果は,将来の光電子デバイスと光センシング応用のための電荷移動機構と指紋ルミネセンス消光を理解するために,他の化学的に調製されたQD/2Dベースのヘテロ構造における光学的性質の基本的な探求に有望である。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エネルギー移動 ,  消光 ,  電荷移動 ,  光ルミネセンス ,  ルミネセンス ,  励起 ,  計算 ,  Fermi準位 ,  伝導バンド ,  *複合体 ,  二次元 ,  *官能化 ,  *量子ドット ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 検証 ,  VAN ,  グラフェン量子ドット ,  複合体 ,  共鳴エネルギー移動