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J-GLOBAL ID：201802269783999037   整理番号：18A0017202

全電気めっきしたZnS,CdS,CdTe傾斜バンドギャップ光起電素子配置の電子的性質の解析【Powered by NICT】

Analysis of the electronic properties of all-electroplated ZnS, CdS and CdTe graded bandgap photovoltaic device configuration

著者 (2件)： Ojo A.A. (Electronic Materials and Sensors Group, Materials and Engineering Research Institute (MERI), Sheffield Hallam University, Sheffield S1 1WB, UK) ,  Dharmadasa I.M. (Electronic Materials and Sensors Group, Materials and Engineering Research Institute (MERI), Sheffield Hallam University, Sheffield S1 1WB, UK)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 158  ページ： 721-727  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全ての電着したZnS,CdSおよびCdTe薄層は,傾斜バンドギャップglass/FTO/n ZnS/n CdS/n CdTe/Au太陽電池構造を作製し,AM1.5照明条件下で達成された14.18%の平均変換効率に導入した。変換効率10%を報告した以前の研究に基づいて,最適化は,半導体層,前駆体,厚さと成長後処理した。これらの結果は,多層傾斜バンドギャップデバイス構成の利点とCdS/CdTeベース素子構造に及ぼすガリウムベース成長後処理(CdCl_2+Ga_2(SO_4)_3)の包接を示した。作製した素子は,電流-電圧(I V)と容量-電圧(C V)法の両方を用いて特性化した。暗I-V条件,10~4.8の整流因子(R.F.)の下で,1.60と障壁高さ(φ_b)>0.82eVの理想因子(n)が観察された。AM1.5照射されたI V条件下で,34.08mA cm~ 2の短絡電流密度(J_sc),730mVの開回路電圧(V_oc),曲線因子(FF)0.57および変換効率14.18%が観察された。暗C-V条件下で,7.79×10~14cm~ 3のドーピング密度(N_D)と1092nmの空乏層幅(W)を達成した。加えて,本研究は,半導体の電着における従来の三電極系への単純化として二電極システムの能力を実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 後処理 ,  *硫化亜鉛 ,  *バンドギャップ ,  半導体 ,  電着 ,  *硫化カドミウム ,  太陽電池 ,  薄膜 ,  素子構造 ,  電圧 ,  *テルル化カドミウム
準シソーラス用語： 曲線因子 ,  開回路電圧 ,  短絡電流密度 ,  変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnS ,  CdS ,  CdTe ,  CdCl_2+Ga_2(SO_4)は_3 ,  傾斜バンドギャップ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電気めっき ,  ZnS ,  CdS ,  CdTe ,  バンドギャップ ,  光起電素子 ,  電子 ,  性質 ,  解析