文献

J-GLOBAL ID：201802269805886811   整理番号：18A0910758

発光ダイオードへの応用のためのインジウム-スズ酸化物層の湿式エッチング機構と結晶化

Wet etching mechanism and crystallization of indium-tin oxide layer for application in light-emitting diodes

著者 (4件)： SU Shui-Hsiang (I-Shou Univ., Kaohsiung, TWN) ,  KONG Hsieng-Jen (EPISTAR Corp., Tainan, TWN) ,  TSENG Chun-Lung (EPISTAR Corp., Tainan, TWN) ,  CHEN Guan-Yu (I-Shou Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 1S  ページ： 01AE05.1-01AE05.4  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *酸化インジウムスズ ,  *ウェットエッチング ,  *結晶化 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *結晶構造解析 ,  マグネトロンスパッタリング ,  窒化ガリウム

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  ガラスの製造  (YC02020O) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 発光ダイオード ,  応用 ,  インジウム ,  スズ ,  酸化物層 ,  湿式エッチング ,  結晶化