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J-GLOBAL ID：201802269903918298   整理番号：18A0426245

シリコンナノワイヤ合成のためのPt-Si液滴の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of Pt-Si droplets for silicon nanowires synthesis

著者 (5件)： Khumalo Z.M. (Department of Physics, University of Cape Town, Private Bag X3, Rondebosch 7701, South Africa) ,  Khumalo Z.M. (Materials Research Department, iThemba LABS/National Research Foundation, P.O. Box 722, Somerset West, South Africa) ,  Topic M. (Materials Research Department, iThemba LABS/National Research Foundation, P.O. Box 722, Somerset West, South Africa) ,  Mtshali C.B. (Materials Research Department, iThemba LABS/National Research Foundation, P.O. Box 722, Somerset West, South Africa) ,  Blumenthal M. (Department of Physics, University of Cape Town, Private Bag X3, Rondebosch 7701, South Africa)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 417  ページ： 81-85  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニーリング温度の関数としての白金シリサイド相の形成をその場実時間Rutherford散乱分光法を用いて調べた。in situ実時間RBSは配列中の白金ケイ化物相,Pt_2SiおよびPtSiを形成する約220°Cで開始する白金とけい素の反応を明らかにした。走査電子顕微鏡液滴の白金layer(ホルマートイオンの形態変化)明らかにされた800°Cで粒子励起X線放出分析は,1600と2000カウントの間,液滴地域では,白金強度の変化を示した。周辺地域は白金膜脱ぬれによる一時的な左しない。面内だけでなく面外シリコンナノワイヤをパルスレーザアブレーションと熱アニーリング法を用いて800°Cと1000°Cで形成することを観察した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *液滴 ,  *ケイ素 ,  励起 ,  Rutherford散乱分光法 ,  ケイ化物 ,  *キャラクタリゼーション ,  *白金 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  パルスレーザアブレーション ,  脱濡れ ,  金膜 ,  実時間 ,  アニーリング温度 ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜コーティング ,  けい化液滴白金 ,  シリコンナノワイヤ ,  PIXE ,  in-situ実時間RBS

分類 (1件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコンナノワイヤ ,  Pt ,  Si ,  液滴 ,  成長 ,  特性評価