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J-GLOBAL ID：201802270015944698   整理番号：18A0401429

自己組織化構造のスケーリング解析とエピタキシャル成長における関連形態学的情報【Powered by NICT】

Scaling analysis of self-assembled structures and related morphological information in epitaxial growth

著者 (5件)： Blel Sonia (Quantum Physics Laboratory, University of Monastir, Monastir, 5019, Tunisia) ,  Hamouda Ajmi B.H. (Quantum Physics Laboratory, University of Monastir, Monastir, 5019, Tunisia) ,  Mahjoub Brahim (Quantum Physics Laboratory, University of Monastir, Monastir, 5019, Tunisia) ,  Hoggan Philip (Institut Pascal, UMR 6602 CNRS, Campus Universitaire, 63178, Aubiere Cedex, France) ,  Oujia Brahim (Quantum Physics Laboratory, University of Monastir, Monastir, 5019, Tunisia)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 102  ページ： 155-165  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 動的モンテカルロシミュレーションを用いて,二つの材料CuとAgのホモエピタキシャル成長の定性的および定量的研究を行った。動的スケーリング特性に基づいて,得られた成長形態とその計算スケーリング指数間の関係は長時間(百単分子層)と成長の初期時間(サブ単分子層領域)でも表面自己組織化において重要な役割を果たすことが分かった。,スケーリング指数に及ぼす第二近接(NNN)相互作用の効果,ならびに表面形態を検討した。NNN相互作用はCuよりAgの場合におけるスケーリング指数に影響を及ぼすことが分かった。,局所粗さ高く,最良の一次元ナノ構造が得られたことを示した;微斜面上のステップエッジでのナノワイヤの充填率の測定によって確認された。著者らの結果は,利用可能な実験的および理論的結果と比較し,成長動力学のより良い理解に有利と考えられる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単分子層 ,  一次元 ,  相互作用 ,  シミュレーション ,  *自己組織化 ,  銅 ,  *モルフォロジー ,  銀 ,  ナノワイヤ ,  HOMO ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： 充填率 ,  表面形態 ,  スケーリング指数 ,  キネティックモンテカルロ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： スケーリング指数 ,  Nanowires ,  NNN相互作用 ,  成長形態 ,  表面粗さ

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己組織化 ,  スケーリング ,  解析 ,  エピタキシャル成長 ,  形態学