文献

J-GLOBAL ID：201802270196132705   整理番号：18A1698484

単結晶ZnOナノワイヤ水熱合成においてW添加が及ぼす結晶成長・不純物ドーピングへの影響

著者 (9件)： 山下大貴 (九大) ,  長島一樹 (九大) ,  長島一樹 (九大 先導研) ,  高橋綱己 (九大 先導研) ,  細見拓郎 (九大 先導研) ,  ZHANG Guozhu (九大 先導研) ,  金井真樹 (九大 先導研) ,  柳田剛 (九大) ,  柳田剛 (九大 先導研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-221A-15  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *水熱合成 ,  *単結晶 ,  *添加物効果 ,  タングステン ,  *ドーピング ,  スパッタ蒸着 ,  種結晶 ,  亜鉛化合物 ,  硝酸塩 ,  ポリエチレンイミン ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子分光法 ,  核形成 ,  結晶方位 ,  硝酸亜鉛 ,  窒素複素環化合物 ,  架橋化合物
準シソーラス用語： 核生成

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： ヘキサメチレンテトラミン

タイトルに関連する用語 (6件)： 単結晶 ,  ZnOナノワイヤ ,  水熱合成 ,  結晶成長 ,  不純物 ,  ドーピング