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J-GLOBAL ID：201802270244333352   整理番号：18A1507674

異なる電圧プロファイル下のSF_6ガス充填電極ギャップにおける粒子移動による部分放電活性【JST・京大機械翻訳】

Partial discharge activity due to particle movement in SF₆ gas filled electrode gap under different voltage profiles

著者 (2件)： Guvvala Nagaraju (Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Madras, Chennai- 600 036, India) ,  Sarathi R. (Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Madras, Chennai- 600 036, India)
資料名： IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation  (IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation)
巻： 25  号： 4  ページ： 1429-1438  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0578A  ISSN： 1070-9878  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SF6ガス充填電極ギャップにおける導電性/非導電性粒子の浮上電圧はAC電圧と比較してDC電圧下で高い。浮上電圧は供給電圧の周波数とともに増加する。粒子浮上電圧は高調波AC電圧のTHDの増加とともにわずかに増加した。粒子の浮上電圧は,障壁が高電圧電極に向かって移動するとき,増加する。DC電圧下での浮上電圧に対する極性依存性は観測されなかった。エポキシナノ複合材料における充填剤含有量の割合は,粒子の浮上電圧に対して高い影響を有した。エポキシナノ複合材料による浮上電圧の解析は,3wt%までのMgO添加試料で,浮上電圧が高く,それ以上では,SF6ガス媒体中の粒子の浮上電圧の限界減少が観察されることを示した。粒子運動過程によって引き起こされたUHF信号の大きさは印加電圧とともに増加した。また,粒子運動の消光電圧は浮上電圧より低い。また,印加電圧の増加とともに,浮上においてUHF信号の大きさは増加した。しかし,印加電圧を低下させると,UHF信号の大きさは電圧の印加よりはるかに高い。この特性はACとDC電圧の下でほとんど同じである。ACとDC電圧の下での粒子により形成されたUHF信号のFFT解析は,開始点で約1GHzで支配的な周波数を持つ。印加電圧が増加するとき,特にDC電圧の下で,形成されたUHF信号のFFT解析は,バンド2~3GHzにおけるエネルギー含有量が増加し,間接的に,逆電極による粒子運動による電荷移動の速度がDC電圧の下で高いことを示した。高周波数の下で非導電性粒子によって形成されたUHF信号のFFT解析は,2~5GHzの範囲でエネルギー含有量が増加した。PRPD解析は,高調波とTHDsに関係なく,印加AC電圧の全位相でPD活性が観測されることを示した。PD発生の数は高く,供給電圧の上昇率は高い。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 導電性 ,  極性 ,  酸化マグネシウム ,  浮上り ,  交流電圧 ,  *電圧 ,  電荷移動 ,  媒質 ,  *部分放電 ,  複合材料 ,  高調波 ,  直流電圧 ,  位相 ,  HF【周波数】
準シソーラス用語： 印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 絶縁材料  (NA04030W) ,  変圧器  (NB08020Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電圧プロファイル ,  ガス充填 ,  電極ギャップ ,  部分放電 ,  活性