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J-GLOBAL ID:201802270262347045   整理番号:18A1723397

ゾル-ゲル法により合成したSmドープBi_4Ti_3O_12薄膜の誘電,強誘電および光ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Dielectric, ferroelectric, and photoluminescent properties of Sm-doped Bi4Ti3O12 thin films synthesized by sol-gel method
著者 (7件):
資料名:
巻: 44  号: 16  ページ: 19402-19407  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ゾル-ゲル法により溶融シリカおよびPt/Ti/SiO_2/Si基板上に調製したSm3+ドープBi_4Ti_3O_12薄膜の構造,誘電,強誘電および光ルミネセンス特性について報告した。X線回折分析により,Bi_4-xSm_xTi_3O_12(BSmT)薄膜は,二次相なしに層状ペロブスカイト構造で良く結晶化することを確認した。Ramanスペクトルは,BSmT薄膜の構造がSm3+ドーピングのために著しく歪んでいることを示した。Sm3+イオンの適切なドーピング量は,構造歪と欠陥の減少により,BSmT薄膜の強誘電と誘電特性の明らかな増強をもたらす。さらに,BSmT薄膜はまた,601nmでのオレンジ赤色発光と長い蛍光寿命(>0.6ms)を示した。本研究は,良好な電気的および光ルミネセンス特性を特徴とする無鉛BSmT薄膜が集積光電子デバイスに応用できる可能性があることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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セラミック・磁器の性質  ,  無機化合物のルミネセンス 
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