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J-GLOBAL ID：201802270283243420   整理番号：18A1614390

酸化インジウム厚膜の熱起電力に及ぼすホッピング伝導の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of hopping conduction on the thermopower of indium oxide thick films

著者 (3件)： Yang Yang (Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Department of Physics, Tianjin University, Tianjin, 300354, China) ,  Zhou Ding-Bang (Tianjin University Analysis Centre, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Li Zhi-Qing (Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Department of Physics, Tianjin University, Tianjin, 300354, China)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 282  ページ： 45-49  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる酸素分圧で調製した一連の酸化インジウム(In_2O_3)厚膜の熱起電力(S)と抵抗率(ρ)の温度(T)依存挙動を調べた。より低い酸素分圧で蒸着した膜に対して,ρ-T曲線は金属特性を示し,熱電能と温度の間の関係は電子拡散過程によって支配される。より高い酸素分圧で蒸着した膜では,Mott型とEfros-Shklovskii型可変範囲ホッピング(VRH)過程が抵抗率データで観測された。熱起電力は約50~200KでS∝T~1/2に従い,Mott VRH過程で説明できる。低温では,フォノン抗力の存在は,温度を下げるとSを負から正に変化させ,さらに温度を下げるとピーク値を示す。著者らの結果は,三次元Mott VRH熱電能に関する理論的予測の妥当性を実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属性 ,  *熱起電力 ,  ピーク値 ,  フォノン ,  予測 ,  *ホッピング伝導 ,  *厚膜 ,  低温 ,  三次元 ,  電気抵抗率 ,  *酸化インジウム ,  抗力
準シソーラス用語： 熱電能 ,  酸素分圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化インジウム ,  D輸送特性 ,  D可変範囲ホッピング熱起電力 ,  Dフォノンドラッグ

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化インジウム ,  厚膜 ,  熱起電力 ,  ホッピング伝導