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J-GLOBAL ID：201802270319010166   整理番号：18A0484945

スプレー熱分解により作製したオプトエレクトロニクス応用のための希土類Sm~3+を同時ドープしたAZO薄膜【Powered by NICT】

Rare earth Sm³⁺ co-doped AZO thin films for opto-electronic application prepared by spray pyrolysis

著者 (10件)： Anand V. (Physics Department, VKS College of Engineering and Technology, Karur, India) ,  Sakthivelu A. (PG and Research Department of Physics, Periyar E.V.R College, Trichy, India) ,  Kumar K. Deva Arun (PG and Research Department of Physics, Arul Anandar College, Karumathur, Madurai, India) ,  Valanarasu S. (PG and Research Department of Physics, Arul Anandar College, Karumathur, Madurai, India) ,  Kathalingam A. (Millimeter-Wave Innovation Technology Research Center (MINT), Dongguk University-Seoul, Seoul 04620, Republic of Korea) ,  Ganesh V. (Advanced Functional Materials & Optoelectronic Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  Shkir Mohd (Advanced Functional Materials & Optoelectronic Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  AlFaify S. (Advanced Functional Materials & Optoelectronic Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  Yahia I.S. (Advanced Functional Materials & Optoelectronic Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  Yahia I.S. (Nanoscience Laboratory for Environmental and Bio-Medical Applications (NLEBA), Semiconductor Lab., Metallurgical Lab. 2 Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, 11757 Cairo, Egypt)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 6  ページ： 6730-6738  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サマリウムとアルミニウム共ドープZnO(Sm:AZO)薄膜を異なるSmドーピング濃度(0at%,0.5at%,1at%と1.5at%)の噴霧スプレー熱分解法によりガラス基板上に堆積した。X線回折パターンは六方晶系結晶構造で作製した膜の多結晶性を確認した。平均結晶子サイズは増加した格子欠陥によるSmドーピングにつれて減少することが分かった。Ramanスペクトルは,438cm~ 1でE_2高モードピークの存在により確認特性ZnOウルツ鉱型構造を示した。表面トポロジー分析は1at%SmをドープしたZnO膜のピンホールなしで均一に分布したコムギ形状粒子を明らかにした。Sm:AZO膜は約90%と約3.30eVのエネルギーギャップである高い透明性を示した。薄膜の光ルミネセンススペクトルは,バルクZnOのバンド端近傍(NBE)発光に対応する約386nmでのUV発光ピークを示した。室温H all効果測定は,すべての調製した膜は1at%Smをドープした膜の低い電気抵抗率(ρ)4.31×10~ 4Ωcmのn型導電性を有することを示した。高性能指数(Φ)値~11.9×10~ 3(Ω/cm)~ 1は堆積した膜はオプトエレクトロニクスデバイスへの応用に非常に適していることを示しているが観察された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *オプトエレクトロニクス ,  噴霧 ,  アルミニウム ,  結晶粒径 ,  Ramanスペクトル ,  導電性 ,  酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  電気抵抗率 ,  多結晶 ,  結晶構造 ,  発光 ,  *薄膜 ,  格子欠陥 ,  六方晶系
準シソーラス用語： *スプレー熱分解 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 希土類 ,  Sm:AZO薄膜 ,  ネブライザー噴霧熱分解 ,  オプトエレクトロニクス応用

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： スプレー熱分解 ,  作製 ,  オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  希土類 ,  ドープ ,  Azo ,  薄膜