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J-GLOBAL ID:201802270331272360   整理番号:18A1783694

高効率ペロブスカイト太陽電池のための二層フッ素ドープ酸化スズ膜の逐次調製【JST・京大機械翻訳】

Sequential Preparation of Dual-Layer Fluorine-Doped Tin Oxide Films for Highly Efficient Perovskite Solar Cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 11  号: 18  ページ: 3234-3242  発行年: 2018年 
JST資料番号: A1411A  ISSN: 1864-5631  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二層フッ素ドープ酸化スズ(FTO)膜を,高効率ペロブスカイト太陽電池(PSC)のための逐次噴霧熱分解により作製した。H-FTO/L-FTO二重層膜は,高い堆積温度(≒450°C)で作製したH-FTO層と低い堆積温度(≒150°C)で作製したL-FTO層から成り,従来のコンパクトなTiO_2/FTO層を置換するために使用した。H-FTO層の電気的,光学的,表面形態,および結晶粒構造特性に及ぼすF/Snモル比,前駆体溶液濃度,および堆積温度の影響を系統的に研究した。前駆体溶液濃度の増加とともに,H-FTOの移動度とキャリア濃度は増加した。しかし,前駆体溶液濃度が増加すると,粒径とシート抵抗は減少した。高い堆積温度は大きな結晶粒サイズと増大したヘイズ値をもたらす。L-FTO層はコンパクトな層成長を表し,H-FTO表面構造と矛盾し,優れた電子収集と輸送効率を有する。PSC性能に及ぼすL-FTOの正孔ブロッキング特性の影響を研究した。本研究は,従来のコンパクトなTiO_2/FTO層を置換するための新しい二重層FTO膜を提供した。それは通常,450°Cでの焼成後にFTO上にTiO_2前駆体を被覆することによって調製された。H-FTO/L-FTO二重層膜は,製造プロセスを単純化し,高電力変換効率(PCE)を維持することができる。これはより効率的な電子輸送と正孔のブロッキングをもたらす。H-FTO/L-FTOを有するPSCのチャンピオン素子は,100mWcm-2(AM1.5G)の照射下で17.37%の最高PCEを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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