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J-GLOBAL ID：201802270354054679   整理番号：18A0860807

ナノスケールレベルでの光センシングのための酸化物破壊経路【JST・京大機械翻訳】

Oxide breakdown path for optical sensing at the nanoscale level

著者 (4件)： Zhou Y. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore) ,  Ang D. S. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore) ,  Kalaga P. S. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore) ,  Gollu S. R. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRPS  ページ： P-GD.8-1-P-GD.8-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール酸化物破壊経路の可視光制御抵抗スイッチングを実証した。ソフトおよびハード酸化物破壊に関連する2つの明確なディジタルスイッチング挙動を初めて明らかにした。ソフト絶縁破壊に対して,光がターンオンされると漏れ電流は減少し,光がオフになると増加する。ハード破壊に対して,光がターンオンされると漏れ電流は増加し,光がオフになると減少する。結果は,破壊経路がナノスケール光センサとして機能することを示唆した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 可視光 ,  漏れ電流 ,  ターンオン ,  *酸化物 ,  光センサ ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  *ナノスケール ,  *光センシング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光センシング ,  酸化物 ,  破壊 ,  経路