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J-GLOBAL ID：201802270404413033   整理番号：18A1883883

Niインターカレート処理したSiC(0001)上グラフェンの角度分解光電子分光

著者 (7件)： 林直輝 (名大 院) ,  伊藤孝寛 (名大 院) ,  伊藤孝寛 (名大 SRセ) ,  大内勇太郎 (名大 院) ,  乗松航 (名大 院) ,  寺澤知潮 (名大 未来材料・システム研) ,  楠美智子 (名大 未来材料・システム研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 73  号： 2  ページ： ROMBUNNO.11aPS-44  発行年： 2018年09月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *グラフェン ,  *光電子分光法 ,  *ニッケル ,  *インターカレーション ,  結晶面 ,  *バンド構造 ,  Fermi準位 ,  インサート金属 ,  *バンド分散 ,  Diracコーン ,  強磁性金属 ,  *ARPES
準シソーラス用語： *角度分解光電子分光

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ni ,  SiC ,  グラフェン ,  角度分解光電子分光