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J-GLOBAL ID：201802270505860038   整理番号：18A1151176

マルチビットメモリスタメモリのための時間ベース読出し回路【JST・京大機械翻訳】

Time-based read circuit for multi-bit memristor memories

著者 (3件)： Hossam Hagar (Electronics and Communications Engineering Department, Ain-Shams University., Egypt) ,  El-Dessouky Mohamed (Electronics and Communications Engineering Department, Ain-Shams University., Egypt) ,  Mostafa Hassan (Center for Nano-electronics and Devices, AUC and Zewail City of Science and Technology, New Cairo 11835)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： MOCAST  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メムリスタは,単一ビットおよびマルチビットストレージを含む様々なアプリケーションにおいて,著しい注目を集めている。マルチビットメモリとしてメモリを利用することは,次世代メモリのメモリ密度を強化する有望な手法である。メムリスタは,低電力,高密度,非揮発性,高速,およびアナログ挙動のために,メモリ設計のための良い代替案を提供する。このアナログ挙動を用いて,単一メモリスタセルにおいて1ビット以上を保存した。本研究では,マルチビット蓄積セルの読出しをサポートする時間ベースの読出し回路を提案した。この時間ベースの読出し回路は,メモリスタのマルチビット状態を区別するために,200mVのダイナミックレンジを持つ時間ベースのアナログ-ディジタル変換器(T-ADC)を利用する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： AD変換器 ,  非揮発性 ,  *記憶装置 ,  高速度 ,  アナログ系 ,  応用プログラム ,  ダイナミックレンジ
準シソーラス用語： *読出し ,  高密度 ,  低電力化 ,  *メモリスタ ,  *読出回路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： 読出し回路