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J-GLOBAL ID：201802270521956566   整理番号：18A0079981

異なる構造の短チャネルトンネルFETのための両極性特性の比較研究【Powered by NICT】

Comparative study of ambipolar characteristics for short channel tunnel-FETs of different structure

著者 (3件)： Paul Dip Joti (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka-1000, Bangladesh) ,  Abdullah-Al-Kaiser Md. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka-1000, Bangladesh) ,  Khosru Quazi D. M. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka-1000, Bangladesh)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： TENCON  ページ： 1680-1684  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,短チャネル二重層ホスホレン二重ゲートトンネルFETの両極性特性に関する包括的研究を提示した。両極性に及ぼす不均一ゲート誘電体(HGD),ゲートドレインアンダーラップ(GDU)などの構造修飾の影響も調べた。ドレイン領域近傍の低k酸化の長さは両デバイスのチャネル長の半分の場合,両極性,高いI_on/I_off比と低いSSの最大抑制が起こることを示した。しかし,GDU構造は同じ素子パラメータでHGD構造よりも良好なI_amb減少(20nmチャネル長の~6桁)を生じた。に加えて,チャネル長は,望ましくない高い値までIambを増加させずに両構造のための最小限界を超えてスケーリングすることが不可能である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ゲート絶縁膜 ,  酸化
準シソーラス用語： チャネル長 ,  二重ゲート ,  二重層 ,  *両極性 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 短チャネル ,  トンネルFET ,  性特性 ,  研究