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J-GLOBAL ID：201802270602785543   整理番号：18A0952163

省エネ大賞に見る省エネ技術の最新動向 革新的技術により実現したGaNパワーデバイス搭載LED電球および高出力LED投光器

著者 (4件)： 大武寛和 (東芝ライテック) ,  高橋雄治 (東芝ライテック) ,  戸田雅宏 (東芝ライテック) ,  柳田格二 (東芝ライテック)
資料名： 日本エネルギー学会機関誌  (Enermix)
巻： 97  号： 3  ページ： 275-279  発行年： 2018年05月20日 
JST資料番号： F1934A  ISSN： 2432-3586  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・GaNパワーデバイス搭載LED電球および高出力LED投光器の開発。
・GaNパワーデバイスを採用し,動作周波数を従来の10倍に高めた小形点灯回路と独自の位相制御調光回路と制御法の開発により,ミニクリプトン電球およびハロゲン電球と同等のサイズ・形状の調光タイプのLED電球の実現と消費電力の削減。
・大きな投光出力と省エネルギー性能を両立したスタジアム向けのLED投光器は,高出力LEDモジュールの開発,漏れ光を抑えた反射鏡のみの光学設計,および光源の高出力化を可能にする放熱技術の開発で実現。
・開発したLED投光器は従来光源の照明設備よりも約55%の消費電力の削減。

シソーラス用語： *LED照明 ,  *電球 ,  発光ダイオード ,  窒化ガリウム ,  電子回路 ,  点灯 ,  調光 ,  位相制御 ,  *投光器 ,  反射鏡 ,  光学設計 ,  熱放射 ,  漏れ ,  消費電力 ,  省エネルギー
準シソーラス用語： *LED電球 ,  パワーデバイス ,  光漏れ ,  低消費電力 ,  点灯回路 ,  放熱

分類 (2件)： 光源,照明器具  (NB12020F) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 省エネ ,  最新動向 ,  GaNパワーデバイス ,  LED電球 ,  高出力 ,  LED ,  投光器