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J-GLOBAL ID：201802270618221952   整理番号：18A0093591

単結晶SiC化学機械研磨液の化学反応パラメータ研究【JST・京大機械翻訳】

Study on Chemical Reaction Parameters of CMP Solution for Single-Crystal SiC

著者 (4件)： Yan Qiusheng (广東工業大学 机電工程学院,广東 广州,510006) ,  Xu Shaoping (广東工業大学 机電工程学院,广東 广州,510006) ,  Lu Jiabin (广東工業大学 机電工程学院,广東 广州,510006) ,  Song Tao (广東工業大学 机電工程学院,广東 广州,510006)
資料名： Jixie Sheji yu Zhizao  (Jixie Sheji yu Zhizao)
号： 9  ページ： 98-100,104  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3693A  ISSN： 1001-3997  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 化学機械的研磨反応速度に影響を及ぼすパラメータを選択した。触媒濃度,酸化剤濃度,研磨液のpH値,研磨液温度などの実験を行い,フェントン反応による単結晶SiCの化学機械研磨効果に及ぼす影響を研究した。H2O2濃度が20%より高く,Fe3O4濃度が1.25%より高い時,H2O2とFe3O4濃度を増加させると,材料除去率が著しく高くなり,その時,材料除去速度は化学溶液の腐食速度と研磨機械の除去速度によって決定されることが分かった。それは,この範囲における研磨剤の機械的作用によって決定される。温度の上昇はH2O2の分解を加速し、ヒドロキシルラジカル・OHの生成を抑制し、化学腐食を緩和し、材料の除去率を低下させる。Fe3O4濃度、H2O2濃度、pH値、研磨液の温度がそれぞれ1.25%、15%、7、41°Cの場合、化学腐食と機械的除去の協調性及び研磨剤の分散性がよく、表面粗さが最も低い。それらがそれぞれ5%,25%,9.3,15°Cのとき,材料除去率は最も高かった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 腐食 ,  *炭化ケイ素 ,  研磨剤 ,  ヒドロキシルラジカル ,  *単結晶 ,  反応速度 ,  *研磨 ,  触媒 ,  Fenton反応 ,  *化学機械研磨 ,  分散度
準シソーラス用語： 除去率 ,  除去速度 ,  材料除去 ,  材料除去率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Single-Crystal SiC ,  Chemical Mechanical Polishing ,  Fenton Reaction ,  Chemical Reaction Parameters ,  Material Removing Rate ,  Surface Roughness

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学機械研磨 ,  化学 ,  反応パラメータ ,  研究