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J-GLOBAL ID:201802270897524750   整理番号:18A0967908

ITO底接触に基づくCIGS薄膜太陽電池のナノ秒レーザ描画【JST・京大機械翻訳】

Nanosecond laser scribing of CIGS thin film solar cell based on ITO bottom contact
著者 (8件):
資料名:
巻: 112  号: 13  ページ: 134102-134102-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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有望な光起電力アーキテクチャであるCu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜は,主に底部接触に対するモリブデンに依存している。しかしながら,モリブデン(Mo)の不透明な性質は,相互接続のための好ましい方法として,レーザスクライビングによるモジュールレベルの作製に限界をもたらす。532nm波長の費用対効果の高いナノ秒パルスレーザによる酸化インジウムスズ(ITO)底部接触上のCIGS光起電力アーキテクチャにおけるP1,P2,およびP3レーザスクライビング過程を調べた。基板側から照射されたレーザは,透明な底面接触により可能になり,高品質のスクライビングに向けての関連する界面への選択的なレーザエネルギーの堆積を容易にした。パラメトリック同調手順を関連機構の実験的および数値的研究と併せて記述し,予備的ミニモジュール製造結果も示した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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光伝導,光起電力  ,  太陽電池  ,  有機化合物の薄膜  ,  レーザの応用 
タイトルに関連する用語 (5件):
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