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J-GLOBAL ID:201802270902781176   整理番号:18A1029110

酸化物接合上のキャリア選択性ポリシリコンの接合抵抗率とその太陽電池性能への影響【JST・京大機械翻訳】

Junction resistivity of carrier selective polysilicon on oxide junctions and its impact on the solar cell performance
著者 (8件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-7  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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移動長法による酸化物(POLO)接合上の高品質キャリア選択ポリシリコンの接合抵抗率を調べた。飽和電流密度J_c,ポリ6.2fA/cm2,接合抵抗p_cが0.6mΩcm2のn+POLO接合,2.7fA/cm2と1.3mΩcm2の反ドープn+POLO接合,および6.7fA/cm2と0.2mΩcm2のp+POLO接合を実証した。このような低い接合抵抗率と飽和電流密度は16.2までの優れた選択性に対応し,セルの全直列抵抗へのわずか数mΩcm2の寄与を意味し,数値デバイスシミュレーションにより推定された26%以上の効率ポテンシャルを可能にした。p型とn型のPOLO接合を持つ背面接合背面接触太陽電池を実験的に実証し,効率は23.9%であった。この効率は,両方の接触に対してポリシリコン接合を持つセルに対して今までに報告されている最大値であり,それは非ドープ領域の不動態化によって制限される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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