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J-GLOBAL ID：201802270939046991   整理番号：18A0608842

橋かけキトサン誘電体薄膜をベースとした水性溶液加工可能な,柔軟な薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Aqueous Solution-Processable, Flexible Thin-Film Transistors Based on Crosslinked Chitosan Dielectric Thin Films

著者 (3件)： Singh Ranjodh (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Lin Yen-Ting (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Ko Fu-Hsiang (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan)
資料名： Macromolecular Materials and Engineering  (Macromolecular Materials and Engineering)
巻： 303  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201700468  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0557A  ISSN： 1438-7492  CODEN： MMENFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キトサン(CS)の親水性は水性溶液処理可能な半導体材料に基づく薄膜トランジスタ(TFT)のゲート誘電体材料としてのその使用を制限している。本研究では,この欠点はCSの制御された架橋により克服するものであり,初めて,水性溶液処理可能なTFTへの応用を報告した。天然CS薄膜と比較して,架橋キトサン(Cr CS)薄膜は疎水性である。Cr CS薄膜の誘電特性は,フレキシブル基板上に金属-絶縁体-金属デバイスの製作を通して調べた。天然CSと比較して,Cr CS誘電体薄膜は強化された環境と水安定性を示し,高い絶縁破壊電圧(10 V)と低い漏れ電流(0.02 nA)であった。水性溶液処理可能な半導体とCr CS誘電体薄膜の適合性は,フレキシブルTFT素子を作製するため水熱法を介して成長ZnOナノロッドによって実証した。ZnOナノロッドに基づくTFTは,10.48cm~2V~ 1s~ 1の高い電界効果移動度(線形領域)を示した。溶媒としての低温処理条件(100°C以下)と水を用いて,プロセスは電子廃棄物問題を解決するために,環境に優しく確保した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 親水性 ,  誘電性 ,  疎水性 ,  *水溶液 ,  半導体材料 ,  水熱合成 ,  漏れ電流 ,  *薄膜 ,  *キトサン ,  フレキシブル基板 ,  半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  酸化亜鉛ナノロッド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 生体材料 ,  キトサンの橋かけ ,  フレキシブル ,  トランジスタ ,  ZnOナノロッド

分類 (2件)： 共重合  (CG04030D) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 橋かけ ,  キトサン ,  誘電体薄膜 ,  水性溶液 ,  薄膜トランジスタ