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J-GLOBAL ID：201802271015651986   整理番号：18A1582203

オンライン電解改質研削と化学機械研磨を組み合わせたサファイア基板組合せ加工技術【JST・京大機械翻訳】

ELID Grinding and CMP Compound Processing Technology for Sapphire Substrates

著者 (4件)： Xu Zhiqiang (湘潭大学机械工程学院,湘潭,411105;復雑軌迹加工工芸及装備教育部工程研究中心,湘潭,411105) ,  Yin Shaohui (湖南大学国家高效磨削工程技術研究中心,長沙,410082) ,  Jiang Shengqiang (湘潭大学机械工程学院,湘潭,411105;復雑軌迹加工工芸及装備教育部工程研究中心,湘潭,411105) ,  Zhu Kejun (湘潭大学机械工程学院,湘潭,411105;復雑軌迹加工工芸及装備教育部工程研究中心,湘潭,411105)
資料名： Zhongguo Jixie Gongcheng  (Zhongguo Jixie Gongcheng)
巻： 29  号： 11  ページ： 1310-1315  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2243A  ISSN： 1004-132X  CODEN： ZJGOE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ELID研削とCMP研磨の2種類の加工技術の原理と特徴を分析し、2種類の技術の利点を充分に結び付けて、サファイア基板に対して超平滑ナノメートル級精度の組合わせ加工を行った。サファイアの臨界切削深さと,異なる粒度の砥石車での脆性と延性研削モードを理論的に解析し,計算した。異なる粒度の砂輪を用いて、サファイア基板に対して超精密ELID研削実験を行い、高速に高品質の加工表面を獲得し、同時に、磁気レオロジースポット法を用いて、加工面の亜表面損傷を測定した。研磨加工後の表面仕上げをCMP研磨技術により行い,研削時の加工欠陥を減らし,工作物の表面品質をさらに改善し,最終的にサブナノメーターレベルの表面粗さを得た。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面粗さ ,  *研削 ,  研削砥石 ,  *サファイア ,  加工面 ,  高速度 ,  加工欠陥 ,  粒度 ,  脆性 ,  延性 ,  工作物 ,  表面仕上 ,  *電解
準シソーラス用語： ELID研削 ,  *加工技術 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： sapphire substrate ,  electrolytic in-process dressing(ELID)grinding ,  chemical mechanical polishing(CMP) ,  compound processing technology

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (7件)： オンライン ,  電解 ,  改質 ,  研削 ,  化学機械研磨 ,  サファイア基板 ,  組合せ