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J-GLOBAL ID：201802271321849872   整理番号：18A1724767

WS_2,Janus WsseおよびWSe_2単分子層の歪媒介安定性および電子特性【JST・京大機械翻訳】

Strain-mediated stability and electronic properties of WS₂, Janus WSSe and WSe₂ monolayers

著者 (3件)： Chaurasiya Rajneesh (Department of Physics and Center for Solar Energy, Indian Institute of Technology Jodhpur, 342037, India) ,  Dixit Ambesh (Department of Physics and Center for Solar Energy, Indian Institute of Technology Jodhpur, 342037, India) ,  Pandey Ravindra (Department of Physics, Michigan Technological University, Houghton, MI, 49931, USA)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 122  ページ： 268-279  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール素子用の次世代電子材料として,遷移金属ジカルコゲニド(TMD)の単分子層を提案した。密度汎関数法を用いて,二軸引張および圧縮歪下でのWS_2,Janus WSSeおよびWSe_2単分子層の熱力学的安定性を評価した。歪みのないWS_2,WSSeおよびWSe_2単分子層のフォノンバンド構造は,それらの熱力学的安定性を確認した。これらの単分子層の安定性を歪の下で調べ,8%の引張歪までの音響および光学モードに対してフォノン軟化を観察した。圧縮歪下での結合長さの減少は,平面変形の結果となり,圧縮歪下での単分子層の不安定性をもたらした。結合長W-S(Se)と結合角W-S(Se)-Wは,電子特性を媒介する遷移金属d軌道とカルコゲンp軌道間の結合強度に顕著な寄与を示した。スピン軌道結合は,歪みのない単分子層に対する価電子帯の分裂に強い効果を示した。価電子帯のスピン分裂は引張歪の増加とともに増加し,圧縮歪の増加とともに減少した。有効質量と移動度値は0.57m_e,0.54m_e,0.47m_eである。そして,非歪WS_2,WSSeおよびWSe_2単分子層に対して,それぞれ0.059,0.062,0.072m~2V~-1s-1であった。タングステンd_x2-y2軌道は主に圧縮歪単分子層における伝導と価電子帯電子状態に寄与している。引張歪の下では,タングステンd_z2軌道は伝導と価電子帯電子状態に寄与し,これらの単分子層における間接バンドギャップ遷移を引き起こす。引張歪の影響は圧縮歪のそれと比較してより敏感であることを観察した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子状態 ,  バンドギャップ ,  密度汎関数法 ,  フォノン ,  遷移金属 ,  不安定性 ,  核間距離 ,  有効質量 ,  価電子バンド ,  *単分子層
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  スピン分裂 ,  引張歪 ,  圧縮歪 ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ジカルコゲナイド ,  単一層 ,  Janus層 ,  熱力学安定性 ,  電子バンドギャップ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単分子層 ,  歪 ,  安定性 ,  電子