文献

J-GLOBAL ID：201802271386426135   整理番号：18A0403791

変調Rashba場と歪によるグラフェン系スピンスイッチデバイス【Powered by NICT】

Graphene-based spin switch device via modulated Rashba field and strain

著者 (4件)： Diniz G.S. (Instituto de Fisica, Universidade Federal de Uberlandia, Uberlandia, MG 38400-902, Brazil) ,  Diniz G.S. (Curso de Fisica, Universidade Federal de Goias, 75801-615 Jatai, GO, Brazil) ,  Vernek E. (Instituto de Fisica, Universidade Federal de Uberlandia, Uberlandia, MG 38400-902, Brazil) ,  Souza F.M. (Instituto de Fisica, Universidade Federal de Uberlandia, Uberlandia, MG 38400-902, Brazil)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 85  ページ： 264-270  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は二つの独立したゲート誘起Rashbaスピン-軌道結合領域と歪の存在下での二端子ジグザググラフェンナノリボン素子におけるスピン分解輸送を研究した。グラフェンナノリボンに対するタイトバインディングモデルに対する再帰Green関数法を用いて,系のスピン分解コンダクタンスを計算した。ゲートの一つの符号を切り替えることにより,スピン成分が伝送される選択できることを示した。さらに,著者らの結果は,ナノリボンに適用した一軸性歪は輸送において重要な役割を果たし,提供し,スピン偏極コンダクタンスを制御する付加的な方法であることを示した。これは本システムを作るスピンベース機械的歪センサの将来の実現のための有望な候補である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： センサ ,  一軸 ,  *グラフェン ,  結合部位 ,  Green関数 ,  コンダクタンス ,  スピン分極
準シソーラス用語： ナノリボン ,  強束縛モデル ,  グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェンナノリボン ,  スピン偏極FET ,  スピン-軌道 ,  一軸歪

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 変調 ,  歪 ,  グラフェン ,  スピン ,  スイッチデバイス