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J-GLOBAL ID:201802271397011071   整理番号:18A1290354

高強度パワー周波数磁場曝露後の培養神経回路網活性の応答【JST・京大機械翻訳】

Response of Cultured Neuronal Network Activity After High-Intensity Power Frequency Magnetic Field Exposure
著者 (6件):
資料名:
巻:ページ: 189  発行年: 2018年 
JST資料番号: U7093A  ISSN: 1664-042X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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高強度で低周波(1~100kHz)の時間変化電磁場は,神経系の励起を通して人体を刺激する。パワー周波数範囲(50/60Hz)において,培養神経回路網における外部電場誘起ニューロン変調の周波数依存閾値を,国際ガイドラインにおける生物学的指標の1つとして用いた。しかし,磁場誘起ニューロン変調の閾値は解明されていない。本研究では,ラット脳由来神経回路網を高強度パワー周波数磁場(hPF-MF)に曝露し,多重電極アレイ(MEA)に基づく細胞外記録技術を用いて同期バースト活性の変調を評価した。短時間hPF-MF曝露(50-400mT二乗平均(rms),50Hz,正弦波,6秒)の結果として,同期バースト活性は400MT曝露群で増加した。一方,50~200MT曝露群では変化は観察されなかった。400mT hPF-MF曝露誘導ニューロン応答の機構を明らかにするために,著者らはビククリン(BMI)を用いて阻害性シナプスを遮断した後にそれを評価した。その後,バースト活性の増加がBMI適用により観察され,400mT hPF-MF曝露の応答は消失した。従って,hPF-MF曝露の応答は阻害入力に関与することが示唆された。次に,CNQXとD-AP5応用による自律的4-10Hz発火を示す抑制性ペースメーカー様ニューロン活性をスクリーニングし,400mT hPF-MF曝露後に活性が低下することを確認した。培養培地における誘導電場(E-field)の推定値とのこれらの実験結果の比較は,同期バースト活性の変化が0.3V/m以上で生じ,外部電場を用いた以前の研究の知見と同等であることを明らかにした。加えて,結果は,400mT hPF-MF曝露後のニューロン活性の増強が,ペースメーカー様ニューロンの自律活性の低下に関連することを示唆した。著者らの結果は,同期バースト活性がhPF-MF曝露(E-field>0.3V/m)によって増加することを示し,応答は抑制性ペースメーカー様ニューロン活性の減少によるものであった。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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