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J-GLOBAL ID：201802271660347979   整理番号：18A1262146

N2+イオン照射によるパーマロイ膜のAMRの品質改善【JST・京大機械翻訳】

Improving the quality of AMR of permalloy films by N²⁺ ion irradiation

著者 (6件)： Jiang Xingdong (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of the Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Jiang Xingdong (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Fan Xiaolong (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of the Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Huang Juanjuan (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of the Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Zhang Chonghong (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Xue Desheng (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of the Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 430  ページ： 54-58  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギーイオンによって照射された磁性材料の物理的性質に及ぼす影響を系統的に調べるために,パーマロイ膜を80keVのN2+イオンによってフルエンスの範囲に照射した。イオン照射による後処理法は,結晶構造,静的及び動的磁気特性に及ぼす顕著な影響がない場合に,パーマロイ膜のAMRの品質を改善することが分かった。イオン照射はHc,ΔH0およびR0を減少させ,最高フルエンスでΔRを増加させた。N2+イオンで照射した膜の物理的性質に影響する主な因子はイオンビーム誘起アニーリング効果であると推論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *品質 ,  *イオン照射 ,  結晶構造 ,  フルエンス ,  後処理 ,  イオンビーム ,  磁気的性質 ,  *パーマロイ ,  磁性材料
準シソーラス用語： アニーリング効果 ,  品質改善 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： パーマロイ ,  イオン照射 ,  AMR ,  磁気的性質

分類 (2件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  放射線高分子化学  (CG03050S)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン照射 ,  パーマロイ ,  品質改善