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J-GLOBAL ID：201802271717506224   整理番号：18A0839991

ナノ構造のイオン誘起曲げの機構について【JST・京大機械翻訳】

On the mechanism of ion-induced bending of nanostructures

著者 (5件)： Gomes Diego R. (Department of Applied Physics, Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands) ,  Turkin Anatoliy A. (Department of Applied Physics, Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands) ,  Turkin Anatoliy A. (National Science Center “Kharkiv Institute of Physics and Technology”, Akademichna St. 1, 61108 Kharkiv, Ukraine) ,  Vainchtein David I. (Department of Applied Physics, Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands) ,  De Hosson Jeff Th.M. (Department of Applied Physics, Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 446  ページ： 151-159  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この寄与は,ナノ構造デバイスを製造するための汎用ツールとして役立つイオン誘起曲げ現象に集中する。特に,自立Au片持梁において曲げを研究した。カンチレバーの調製と照射をTescan LYRAデュアルビーム系を用いて行った。90~200nmの範囲の厚さのカンチレバーを,最大フルエンス~3×10~20Ga/m2までの試料表面に垂直な30keVのGaイオンで照射した。入射ビームに対するカンチレバーの曲げを,Ga注入層における放射線誘起空格子点と置換Ga原子の蓄積による局所体積変化,ならびにGa侵入範囲を超えた領域における格子間型クラスタの蓄積による局所体積変化の観点から論じた。点欠陥,すなわち空格子点,自己格子間原子及び注入Ga原子の濃度に対する一組の速度方程式に基づいて,観測を説明するモデルを提案した。既存の欠陥の影響も検討した。本研究は,イオンビーム曲げを深く理解することが,小型製品のミクロおよびナノ製造のための定量的制御において予測的役割を果たすことを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： クラスタ ,  金 ,  点欠陥 ,  イオンビーム ,  格子間原子 ,  レート方程式 ,  予測 ,  ガリウム ,  *ナノ構造 ,  *イオン ,  片持梁 ,  放射線 ,  フルエンス
準シソーラス用語： 体積変化 ,  ガリウムイオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 集束イオンビーム ,  ナノ構造作製 ,  放射線誘起曲げ

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ構造 ,  イオン ,  誘起 ,  曲げ