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J-GLOBAL ID：201802271784616408   整理番号：18A0237527

高性能コプレーナ電界効果トランジスタのための印刷半導体-絶縁体ポリマ二重層【Powered by NICT】

Printing Semiconductor-Insulator Polymer Bilayers for High-Performance Coplanar Field-Effect Transistors

著者 (8件)： Bu Laju (School of Science and Frontier Institute of Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Hu Mengxing (School of Science and Frontier Institute of Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Lu Wanlong (School of Science and Frontier Institute of Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Lu Wanlong (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, P. R. China) ,  Wang Ziyu (School of Science and Frontier Institute of Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Wang Ziyu (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, P. R. China) ,  Lu Guanghao (School of Science and Frontier Institute of Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Lu Guanghao (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 2  ページ： ROMBUNNO.201704695  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース/ドレイン電極の同一平面内に位置する有機半導体層を用いたソース半導体ドレインコプレーナトランジスタは次世代のエレクトロニクスのための魅力的である,それらは材料消費を低減し,寄生漏れ電流を最小化し,異なるデバイス間のクロストークを回避し,回路の作製プロセスを単純化するために使用することができた。モデル半導体/絶縁体[ポリ(3 ヘキシルチオフェン) (P3HT)/ポリスチレン (PS)]ブレンドを用いたコプレーナトランジスタを実現するための一段階,ドロップキャスティングのような印刷法を開発した。金属電極とSiO_2誘電体上の溶液ディウェッティング動力学を操作することにより,チャネル領域内の溶液を選択的に限定されていると,ソース/ドレイン電極の頂部表面が,高分子の完全に自由なものにしている。続いて,溶媒蒸発中に,P3HTとPS間の垂直相分離は半導体-絶縁体二層構造をもたらし,改良されたトランジスタ性能に寄与した。さらに,半導体-絶縁体二層構造を持つこのコプレーナトランジスタはゲートストレスを介して絶縁体への電荷注入のための理想的なシステムであり,生成したPSエレクトレット層はトランジスタのしきい値電圧と有効移動度を調整するための「不均一フローティングゲート」として作用する1cm~2V~ 1s~ 1オン/オフ比>10~7よりも高い有効電界効果移動度を実現し,性能は市販非晶質シリコントランジスタのそれに匹敵する。コプレーナトランジスタは,対応する回路の作製プロセスを単純化する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アモルファスシリコン ,  *印刷 ,  移動度 ,  有機半導体 ,  電子技術 ,  *半導体 ,  キャリア注入 ,  漏れ電流 ,  相分離 ,  *トランジスタ ,  高分子 ,  *絶縁体 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コプレーナトランジスタ ,  有機エレクトロニクス ,  ポリマブレンド ,  印刷 ,  垂直相分離

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  電界効果トランジスタ ,  絶縁体 ,  ポリマ ,  二重層