タンタル系抵抗ランダムアクセスメモリのための革新的電極のX線反射率とすれすれ入射X線蛍光特性評価【JST・京大機械翻訳】

Nolot E.; Nolot E.; Caby B.; Caby B.; Gassilloud R.; Gassilloud R.; Veillerot M.; Veillerot M.; Eichert D.

文献

J-GLOBAL ID：201802272035146501 整理番号：18A2217346

タンタル系抵抗ランダムアクセスメモリのための革新的電極のX線反射率とすれすれ入射X線蛍光特性評価【JST・京大機械翻訳】

X-ray reflectometry and grazing-incidence X-ray fluorescence characterization of innovative electrodes for tantalum-based resistive random access memories

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資料名：
巻： 149 ページ： 71-75 発行年： 2018年
JST資料番号： B0793A ISSN： 0584-8547 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

X線反射測定(XRR)によるすれすれ入射X線蛍光(GIXRF)の組合せの能力を評価し,Ta_2O_5/金属構造,窒化チタンおよびニッケルの堆積過程の変化が,抵抗性RAMのための低コストのfablyの豊富な電極による貴金属の置換のための優れた候補であることを調べた。。これらの結果は,Ta_2O_5/金属構造,窒化チタンおよびニッケルの堆積過程の変化の影響を調べることができる。ToF-SIMSとGIXF/XRRの両方は,Ta_2O_5/TiNスタックにおける著しいTiN-Ta相互混合を,最適化したTa_2O_5プロセス条件でさえ,明確に実証した。反対に,TOF-SIMSプロファイルは,PE-ALD Ta_2O_5プロセスにおけるH*プラズマステップの導入がニッケル電極材料の酸化とTa_2O_5/Ni相互混合の両方を劇的に減少させることを明らかにし,ニッケルがTa_2O_5ベースReRAMの良い候補であることを確認した。ニッケル基試料に及ぼすH*プラズマの影響もGIXR/XRR法により証明され,モデルベースの多層結合解析の使用により定量的に評価された。したがって,実験室あるいはfabsにおいてもプロセス開発を支援するための高感度,非破壊化学的深さプロファイル技術としてGIXR/XRRの性能を実証した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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無機化合物の物理分析

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