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J-GLOBAL ID：201802272098718267   整理番号：18A1829416

LaドープAgSnO2接点材料の電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Electrical Properties of La Doped AgSnO2 Contact Materials

著者 (4件)： Zhao Caitian (河北工業大学,天津,300130) ,  Wang Jingqin (河北工業大学,天津,300130) ,  Wang Haitao (河北工業大学,天津,300130) ,  Cai Yanan (河北工業大学,天津,300130)
資料名： Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao  (Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao)
巻： 36  号： 3  ページ： 392-398  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2657A  ISSN： 1673-2812  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Cdの毒性のため、AgSnO2接点材料は次第にAgCdOを置換し、新しい接点材料になるが、AgSnO2接点材料中のSnO2のほぼ絶縁のため、接点材料の接触抵抗が増大し、SnO2の導電性を改善するのは急に解決すべき重大な難題である。簡単で低コストのLaドープAgSnO2接点材料の設計法を提案した。SnO2およびLaドープSnO2の超格子モデルを,第一原理密度汎関数理論平面波超軟擬ポテンシャル法を用いて,それぞれ,50%,25%,および16のLaドーピング比率で,それぞれ,シミュレーションした。67%,12.5%,8.34%のSnO2材料の電子構造,格子パラメータ,バンド構造,状態密度を調べた。その結果,ドープ材料の格子体積は大きくなった。Laの5d軌道は伝導帯に入り、伝導帯の底から低エネルギー端へ移動し、バンドギャップの幅が小さくなった。その結果,Laドーピング比が16.67%のとき,導電性は最良であった。最後に,異なるドーピング比での接点材料の電気接触性能試験を行い,接触抵抗とアークエネルギーの電気接触性能パラメータを得て,シミュレーション結果を検証した。従って、本文の研究は接点材料の発展と応用に理論的根拠を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  *接点材料 ,  カドミウム ,  シミュレーション ,  第一原理 ,  接触抵抗 ,  伝導バンド ,  バンドギャップ ,  アーク放電 ,  電子構造 ,  状態密度 ,  格子定数 ,  *ランタン ,  密度汎関数法 ,  導電性

著者キーワード (4件)： La-doped SnO2 ,  first-principle ,  electronic structure ,  electrical properties

分類 (1件)： 電気接点  (NA05070V)

タイトルに関連する用語 (4件)： La ,  ドープ ,  接点材料 ,  電気的性質