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J-GLOBAL ID:201802272162454545   整理番号:18A1903913

高密度磁気ランダムアクセスメモリセルのための低Curie温度CoB/Pd多層膜を持つハイブリッドメモリ層【JST・京大機械翻訳】

Hybrid Memory Layer With Low Curie Temperature CoPd/Pd Multilayer for High-Density Magnetic Random-Access Memory Cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 54  号: 11  ページ: ROMBUNNO.3401405.1-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0339B  ISSN: 0018-9464  CODEN: IEMGAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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低Curie温度(T_C)と高T_C層から成るハイブリッド構造のスイッチング挙動を調べた。[Co(0.3nm)/Pd(1.2nm)]6および[Co54Pd46(0.3nm)/Pd(1.2nm)]6多層(ML)のT_Cは,それぞれ200°Cおよび110°Cよりはるかに高いことを確認した。Co/PdとCoPd/Pd MLを有する二MLハイブリッド構造において,二つのMLは室温で交換結合し,CoPd/Pd MLは高温(~170°C)で高いT_CCo/Pd MLの磁化に従ってスイッチされ,CoPd/Pd MLは常磁性になる。[Co(0.4nm)/Pt(1.2nm)]6/[Co48Pd52(0.3nm)/Pd(1.2nm)]3/[Co(0.4nm)/Pd(1.2nm)]3の積層構造を調べた。トリMLスタックは,中間の低いT_C CoPd/Pd MLの磁気秩序の損失により,室温で1段階のヒステリシスループを示し,120°C以上で2段階のループを示した。3-MLスタックのデータから,Co/PtとCo/Pd ML間の交換結合と分離状態は,室温から約150°Cまで温度を変化させることにより実現されることが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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電子・磁気・光学記録  ,  磁性材料 

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