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J-GLOBAL ID：201802272178560730   整理番号：18A0935087

高性能H_2発生のための階層構造NiO/CdS【JST・京大機械翻訳】

Hierarchical structure NiO/CdS for highly performance H₂ evolution

著者 (4件)： Li Jia (Department of Chemistry, Renmin University of China, Beijing 100872, China) ,  Qian Xianhao (Department of Chemistry, Renmin University of China, Beijing 100872, China) ,  Peng Yang (Department of Chemistry, Renmin University of China, Beijing 100872, China) ,  Lin Jun (Department of Chemistry, Renmin University of China, Beijing 100872, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 224  ページ： 82-85  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,酸素空孔リッチ超薄2DナノシートNiOを,光触媒H_2発生のための容易なソルボサーマル法により,1DナノロッドCdS上に組み立てた。階層構造を持つNiO/CdSは顕著な光触媒活性を示し,可視光下でのH_2発生速度は43mmol/g/hであった。種々のキャラクタリゼーション結果に従って,電荷移動過程に関する光触媒機構を提案した。密度汎関数計算は,酸素空孔がNiOのバンドギャップに欠陥準位を導入し,可視光吸収の増加をもたらすことを明らかにした。さらに,NiO/CdS中で形成されたヘテロ接合は光生成正孔と電子を効率的に分離し,光触媒活性を増強した。電子スピン共鳴(ESR)スペクトルとX線光電子分光法(XPS)を行い,酸素欠陥の存在を示した。そして,光触媒反応後のCd2+イオンの濃度に基づいて機構を提案した。本研究は,光触媒H_2発生のために合理的に高度に効率的なヘテロ構造を設計する新しい方法を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  光触媒反応 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  電荷移動 ,  ナノシート ,  X線光電子分光法 ,  可視光 ,  バンドギャップ ,  正孔 ,  *硫化カドミウム ,  光触媒 ,  *階層構造
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  ソルボサーマル合成 ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 半導体 ,  ナノ複合光触媒 ,  水素の進化 ,  階層構造 ,  NiO/CdS

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  階層構造 ,  CdS