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J-GLOBAL ID：201802272387329309   整理番号：18A1134527

カチオン及びアニオンをドープしたBiScO_3-PbTiO_3セラミックの構造及び電気特性【JST・京大機械翻訳】

Structural and electrical properties of cation and anion doped BiScO₃-PbTiO₃ ceramics

著者 (4件)： Shahzad K. (Physics Division, PINSTECH, P. O. Nilore, Islamabad, Pakistan) ,  Li Hui (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, People’s Republic of China) ,  Li Zhenrong (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, People’s Republic of China) ,  Nasir Khan M. (Physics Division, PINSTECH, P. O. Nilore, Islamabad, Pakistan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 762  ページ： 780-785  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる量のMgF_2を,x=0.64で(1-x)BiScO_3-xPbTiO_3(BS-PT)で置換した。アクセプタとしてのマグネシウムはアニオンサイトでBサイトとフッ素に組み込まれていると考えられた。形態栄養相境界(MPB)は0.5%MgF_2ドーピングで見られ,正方晶と単斜晶相はほとんど同じ割合で共存した。T_cを強化することにおいて,耐性因子ならびにカチオン性変位は重要な役割を果たす。MGF_2ドーピングはCurie温度(T_c)と電気機械結合係数(k_p)をそれぞれ490°Cと0.66に高めた。粒径と気孔率はフッ素によるドーピング量と共に増加した。誘電損失は室温でMgF_2添加により抑制された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電損失 ,  Curie温度 ,  マグネシウム ,  *電気特性 ,  相境界 ,  *ドーピング ,  単斜晶系 ,  正方晶系 ,  粒径 ,  フッ素 ,  *アニオン ,  空隙率 ,  アクセプタ ,  *カチオン ,  *セラミック

著者キーワード (3件)： 圧電セラミックス ,  Rietveld精密化 ,  Curie温度と誘電率

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： カチオン ,  アニオン ,  ドープ ,  セラミック ,  電気特性