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J-GLOBAL ID：201802272449385541   整理番号：18A1131515

増強Goos-Haenchen効果に基づく広く調整可能な双方向テラヘルツグラフェンプラズモンスイッチ【JST・京大機械翻訳】

Broadly tunable and bidirectional terahertz graphene plasmonic switch based on enhanced Goos-Haenchen effect

著者 (3件)： Farmani Ali (School of Electrical and Computer Engineering, Lorestan University, 465, Khoramabad, Iran) ,  Mir Ali (School of Electrical and Computer Engineering, Lorestan University, 465, Khoramabad, Iran) ,  Sharifpour Zhaleh (School of Electrical and Computer Engineering, Lorestan University, 465, Khoramabad, Iran)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 453  ページ： 358-364  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面プラズモン共鳴システムにおける反射光のGoos-Haenchenシフトに基づく自由空間光スイッチについて,近年の多くの研究が報告されている。しかし,非常に少ない研究は,固定配置における調整可能なGoos-Haenchenシフトを報告した。従って,本研究の主目的は,(a)テラヘルツ周波数範囲での解析的アプローチ,(b)グラフェンの調整可能な光学的性質に対するOwing,(a)グラフェンの化学ポテンシャル,温度,および散乱時間を含む種々のパラメータの効果に基づいて,(a)グラフェンプラズモンKretchmann配置から成る二方向性で調整可能なスイッチを研究した。解析計算により,入射光を構造の表面プラズモンに強く結合することにより,自由空間波長の540倍の高い巨大Goos-Haenchenシフトを達成できることを示した。さらに,グラフェン層の基板としての白色グラフェンの応用は,グラフェン表面プラズモンの伝搬を増加させたが,必要な外部電圧は減少した。化学ポテンシャルの小さい変化,Δμc=0.4eV(ΔV=0.5Vの外部電圧)を考慮することによって,440λ0(λ0=1.55μm)のGoos-Haenchenシフト変化を容易に与えることができることも示した。最後に,解析結果を検証するために,提案した構造を有限差分時間領域法を用いて数値的にシミュレーションした。これらの知見に基づいて,本研究は双方向スイッチング応用のための固定配置におけるGoos-Haenchenシフトの同調性と大きさの両方を改善するための代替法を提示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *スイッチ ,  周波数 ,  光学的性質 ,  化学ポテンシャル ,  表面プラズモン ,  スイッチング ,  *グラフェン ,  波長 ,  *テラヘルツ波 ,  有限差分時間領域法 ,  光スイッチ
準シソーラス用語： 入射光 ,  自由空間 ,  反射光 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光スイッチ ,  グラフェンプラズモニック ,  グラフェン表面伝導率 ,  白色グラフェン ,  表面プラズモン

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 増強 ,  Goos-Haenchen効果 ,  双方向