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J-GLOBAL ID：201802272461844325   整理番号：18A0932030

CeO₂緩衝R面Al₂O₃基板上のトリフルオロ酢酸金属有機堆積由来(Y_0.77Gd_0.23)Ba₂Cu₃O_y膜

Trifluoroacetate metal organic deposition derived (Y_0.77Gd_0.23)Ba₂Cu₃O_y films on CeO₂ buffered R-plane Al₂O₃ substrates

著者 (3件)： SAKUMA Keita (Seikei Univ., Tokyo, JPN) ,  SATO Michio (Seikei Univ., Tokyo, JPN) ,  MIURA Masashi (Seikei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 3  ページ： 033102.1-033102.4  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トリフルオロ酢酸塩-金属有機堆積(TFA-MOD)を用いてCeO₂緩衝R面サファイア(R-Al₂O₃)基板上に(Y_0.77Gd_0.23)Ba₂Cu₃O_y[(Y,Gd)BCO]膜を成長させた。CeO₂バッファ層の結晶度と表面形態を制御するために,CeO₂バッファR-Al₂O₃基板を焼なました。焼なまし処理はCeO₂バッファ層の結晶度と表面形態を著しく改善した。高い結晶度と原子的に平坦な表面を有するCeO₂バッファ層上に成長させた(Y,Gd)BCO膜は高い自己場(77Kで)と磁場内(20K,9T,μ₀H||c)臨界電流密度(J_c)を示した。CeO₂バッファ層の焼なましは(Y,Gd)BCO膜に対する自己場J_cだけでなく,磁場内J_c.の増強を可能にした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  溶液成長 ,  酸化セリウム ,  *バッファ層 ,  焼なまし ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  臨界電流密度 ,  *YBCO薄膜 ,  ガドリニウム化合物 ,  銅酸化物超伝導体 ,  脂肪族カルボン酸 ,  脂肪族フッ素化合物
準シソーラス用語： MOD法 ,  トリフルオロ酢酸塩-有機金属塩熱分解法 ,  二酸化セリウム ,  表面形態

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： トリフルオロ酢酸

引用文献 (19件)：

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タイトルに関連する用語 (4件)： 緩衝 ,  Al2O3 ,  トリフルオロ酢酸 ,  堆積