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J-GLOBAL ID：201802272528910448   整理番号：18A1623680

超薄誘電体における破壊の物理学と確率論の発展 SiO_2から先進高kゲートスタックへ【JST・京大機械翻訳】

Evolution of the Physics and Stochastics of Failure in Ultra-Thin Dielectrics - From SiO₂ to Advanced High-K Gate Stacks

著者 (1件)： Raghavan Nagarajan
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： INEC  ページ： 15-16  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 論理デバイスにおける絶縁破壊は,数十年にわたる強い研究の主題である。相補的金属酸化物半導体(CMOS)技術のダウンスケーリングとSiO_2から他の高誘電率誘電体材料へのシフトによる誘電厚さの変化により,酸化物膜における破壊の物理とソフト,進行性,および硬い破壊の統計的傾向に著しい変化がある。本研究は,SiO_2と高κ(HfO_2)における破壊時間分布の破壊と関連確率の物理的機構を比較する簡潔な要約を提示した。近い将来,六方晶窒化ホウ素のような二次元層状誘電体へのシフトが著しく異なる破壊動力学により,酸化物破壊に対するより多くの研究のための連続的な必要性があることが明らかになった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *確率論 ,  酸化膜 ,  論理素子 ,  酸化物 ,  *誘電体 ,  絶縁破壊 ,  CMOS ,  二次元 ,  誘電材料
準シソーラス用語： 六方晶窒化ホウ素 ,  破壊時間 ,  高誘電率 ,  ダウンスケーリング ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘電体 ,  破壊 ,  物理学 ,  確率論 ,  発展 ,  ゲートスタック