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J-GLOBAL ID：201802272567964166   整理番号：18A1802175

Mo中間層によるIn-Sn拡散の抑制による酸化インジウムスズガラス基板上の両面Cu_2zn_4薄膜太陽電池の効率向上【JST・京大機械翻訳】

Efficiency enhancement of bifacial Cu₂ZnSnSe₄ thin-film solar cells on indium tin oxide glass substrates by suppressing In-Sn diffusion with Mo interlayer

著者 (3件)： Kim Jung-Sik (Convergence Research Center for Solar Energy, Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology, Daegu, 42988, South Korea) ,  Kim Dae-Hwan (Convergence Research Center for Solar Energy, Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology, Daegu, 42988, South Korea) ,  Hwang Dae-Kue (Convergence Research Center for Solar Energy, Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology, Daegu, 42988, South Korea)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 400  ページ： 9-15  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空法を用いて酸化インジウムスズ(ITO)基板上に両面Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜太陽電池を作製した。アニーリング温度が500から540°Cに上昇すると,CZTSe太陽電池の性能はSn-In拡散により急速に劣化することを見出した。このSn-In運動を抑制するために,CZTSe吸収体/ITO界面にMo中間層を実装した。アニーリングの間,MoSe_2を有するセレン化Mo中間層は,CZTSe吸収体へのIn拡散を減少させる障壁層として効果的に作用した。Mo厚さとCZTSe性能の間の関係を検討した。Mo中間層が使用されるので,CZTSe太陽電池の変換効率は,前面照明下で0.40%から5.21%まで大いに改善される。また,CZTSe太陽電池の性能に及ぼす両面条件とMo中間層の厚さの影響を調べた。両面照明(前面:1.0太陽/後部:0.3太陽)下で,CZTSe太陽電池の変換効率は,前面照明のみの場合と比較して10%まで増加し,CZTSe/ITOに対して5.71%の値を達成した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収体 ,  *モリブデン ,  *太陽 ,  *酸化インジウムスズ ,  *インジウム ,  *薄膜 ,  *効率化 ,  照明 ,  *太陽電池 ,  焼なまし ,  界面
準シソーラス用語： *ガラス基板 ,  変換効率 ,  *薄膜太陽電池 ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： セレン化亜鉛スズ ,  太陽電池 ,  両面構成 ,  ガラス基板 ,  薄膜

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： Mo ,  中間層 ,  Sn ,  拡散 ,  酸化インジウムスズ ,  ガラス基板 ,  両面 ,  薄膜太陽電池 ,  効率向上