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J-GLOBAL ID：201802272595318721   整理番号：18A0096021

MOCVDの3波長オンライン赤外温度測定法を応用した。【JST・京大機械翻訳】

Three-wavelength on-line infrared thermometry for MOCVD

著者 (6件)： Yang Chaopu (商洛学院 化学工程与現代材料学院,陜西 商洛 726000;陜西省尾鉱資源綜合利用重点実験室, 陜西 商洛 726000) ,  Li Chun (商洛学院 化学工程与現代材料学院,陜西 商洛 726000;陜西省尾鉱資源綜合利用重点実験室, 陜西 商洛 726000) ,  Fang Wenqing (南昌大学 国家硅基LED工程技術研究中心,江西 南昌,330047) ,  Liu Biyu (南昌大学 国家硅基LED工程技術研究中心,江西 南昌,330047) ,  Liu Mingbao (商洛学院 化学工程与現代材料学院,陜西 商洛 726000;陜西省尾鉱資源綜合利用重点実験室, 陜西 商洛 726000) ,  Zhou Chunsheng (商洛学院 化学工程与現代材料学院,陜西 商洛 726000;陜西省尾鉱資源綜合利用重点実験室, 陜西 商洛 726000)
資料名： Yingyong Guangxue  (Yingyong Guangxue)
巻： 38  号： 4  ページ： 655-659,678  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2741A  ISSN： 1002-2082  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 金属有機物化学蒸着(MOCVD)オンライン赤外温度測定の発展により、3波長の探測孔有効面積校正と反射率補正の温度測定方法を提案した。1300nm,15150nm,940nmの3波長をもつオンライン温度測定プローブの設計スキームと光路図を示した。このプローブをTHOMAS SWAN CCS MOCVD 5.08 cm(2インチ)Si(111)基板上に10μm GaNエピ層を成長させるオンライン温度測定に応用した。測定結果は以下を示す。700°C~1100°Cの範囲において,プローブ測定の再現性誤差は,1.0°Cで,950°C~1100°Cの範囲で,EpiTT赤外温度測定器によって,1°C以内で,2mmの距離許容性を示した。このプローブを用いて、中国で自主開発されたMOCVD 5.08 cm Si(111)基板上にInGaN/GaN MQW構造青色光LED外延片を成長させ、最低温度測定範囲435°C、n-GaN成長過程中の測定ノイズは0.75°Cであった。結果は,以下を示した。この3波長補正オンライン赤外温度測定法は高品質単層薄膜のエピタキシャル成長に対して一定の実行可能性があり、多層複雑構造のエピタキシャル成長に対して更なる改良が必要である。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *MOCVD ,  多層 ,  窒化ガリウム ,  *波長 ,  再現性 ,  薄膜 ,  *温度測定 ,  成長段階 ,  プローブ ,  中華人民共和国 ,  青色光 ,  単一層 ,  反射率
準シソーラス用語： 高品質 ,  *オンライン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MOCVD ,  in-situ monitoring ,  infrared thermometry ,  epitaxy

分類 (5件)： 分光法と分光計一般  (BD07041Q) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  分光分析  (CC03012W) ,  生体膜一般  (EF04010G)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  波長 ,  オンライン ,  赤外 ,  温度測定 ,  応用