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J-GLOBAL ID:201802272659737675   整理番号:18A0385167

裏面補償層を持つ薄いハイブリッドピクセル組立製造開発【Powered by NICT】

Thin hybrid pixel assembly fabrication development with backside compensation layer
著者 (10件):
資料名:
巻: 845  ページ: 24-28  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0208B  ISSN: 0168-9002  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ATLASおよびCMS実験は2026のHL LHC(大型ハドロンコライダ)での運転のための全追跡システムを置き換えるであろう。これはATLAS約15m~2で有意に大きい画素システムを含む,例えばであろう。追跡材料予算を低く保つためには,各センサと読出しチップの両方を薄く約150μmを経由するピクセルモジュールの質量を最小化することが重要である。半田を基にしたバンプボンディングを用いた薄いモジュール集合体のバンプ収率は高温でのはんだリフロー中のウエハ湾曲に起因する問題がある。低収率の問題に対処するため読出しチップの裏面補償を用いた新しいバンプボンディングプロセスを提示した。目的は,ウエハの背面に補償層を加えることにより前面スタックの応力を動的に補償することである。SiNとAl:Siスタックは裏面層用に選択した。背面補償層を適用することの船首減少効果はFE I4ウエハを用いて実証した。応力補償層をもつ100μmまで薄くした読出しウエハから生成した集合体からの世界の最初の結果は,FE I4読出しチップを用いて測定した100%に近い結合収率を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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著者キーワード (4件):
分類 (2件):
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素粒子・核物理実験計測用エレクトロニクス  ,  素粒子・核物理実験技術一般 
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