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J-GLOBAL ID：201802272675071916   整理番号：18A0447536

プロセスと温度不変オンチップ電流基準回路【Powered by NICT】

Process and temperature invariant on-chip current reference circuit

著者 (4件)： Siddiqi Yasir (College of Engineering, Electronic Devices, Circuits and Systems Group, Karachi Institute of Economics and Technology, Karachi, Pakistan) ,  Ahmed Naveed (College of Engineering, Electronic Devices, Circuits and Systems Group, Karachi Institute of Economics and Technology, Karachi, Pakistan) ,  Shahbaz M. Aaquib (College of Engineering, Electronic Devices, Circuits and Systems Group, Karachi Institute of Economics and Technology, Karachi, Pakistan) ,  Jawed Syed Arsalan (College of Engineering, Electronic Devices, Circuits and Systems Group, Karachi Institute of Economics and Technology, Karachi, Pakistan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： INTELLECT  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PVT耐性精度電流基準発生器は,すべてのMOSFETは,強い反転領域でバイアスしたな全PMOSアプローチを用いて提示した。このアプローチは弱い反転におけるMOSFETを採用した従来のアプローチとは異なり正確なSPICEシミュレーションの利点を十分に取入れ,従ってポストシリコン不整合に悩まされている。設計はバンドギャップコアからPTAT電流の性質を強化するための電力効率の良い差動ソースフォロワコアを採用した。強化されたPTAT電圧はCTAT電流源,換算温度係数を達成することにより,カウンターバランス。電流基準は完全なPVT変動コーナー例を横切るその公称電流値の±3%の広がりを達成した。完全な設計は3.3V電源から105μAの全電流を消費する。すなわち,消費電力347μW。回路の全体的挙動を詳細に提示した支持する理論的枠組み。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  *電流 ,  電圧 ,  消費電力 ,  不整合 ,  シミュレーション ,  *不変性 ,  電力効率
準シソーラス用語： 換算温度 ,  電流源 ,  PMOS構造 ,  再生器 ,  *基準回路 ,  *オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の電子回路  (NC05090X)

タイトルに関連する用語 (4件)： プロセス ,  不変 ,  オンチップ ,  基準回路