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J-GLOBAL ID：201802272724115669   整理番号：18A1567723

水素不動態化による非金属ドープ単分子層MoSe_2の増強された光触媒活性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Enhanced photocatalytic activity of nonmetal doped monolayer MoSe₂ by hydrogen passivation: First-principles study

著者 (9件)： Zhao Yafei (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Wang Wei (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Li Can (Center for Coordination Bond Engineering, College of Materials Science and Engineering, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China) ,  Sun Yizhe (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Xu Huanfeng (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Tu Jian (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Ning Jiai (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Xu Yongbing (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  He Liang (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 456  ページ： 133-139  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を用いて,水素(H)不動態化後の非金属(NM)(B,C,Si,N,PおよびAs)ドープ単分子層MoSe_2における光触媒活性の増強を系統的に調べた。MoSe_2へのNM原子の取り込みはHの存在下でより容易になることを見出した。さらに,H-不動態化は,光生成電子/正孔対の再結合を抑制し,特にC-2HドープMoSe_2における光生成電子の還元能力を増加させることによって,ドープしたMoSe_2の光触媒活性を強化することができた。本研究は,Hが処理または応用環境に豊富であり,NM受容体との相互作用が避けられないので,H不動態化の有用なガイダンスを提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 受容体 ,  キャリア移動度 ,  光生成 ,  *第一原理 ,  *ドーピング ,  還元性 ,  *水素 ,  *単分子層 ,  *不動態化 ,  ヒ素 ,  正孔 ,  再結合 ,  酸化還元電位
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  *光触媒活性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水素 ,  非金属アクセプタ ,  キャリア移動度 ,  有効質量 ,  酸化還元電位

分類 (5件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 水素 ,  不動態化 ,  非金属 ,  ドープ ,  単分子層 ,  増強 ,  光触媒活性 ,  第一原理 ,  研究