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J-GLOBAL ID：201802272777748967   整理番号：18A0799206

a-C薄膜の密度と微細構造【JST・京大機械翻訳】

Density and microstructure of a-C thin films

著者 (6件)： Kumar Prabhat (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, University Campus, Khandwa Road, Indore 452 001, India) ,  Gupta Mukul (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, University Campus, Khandwa Road, Indore 452 001, India) ,  Deshpande U.P. (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, University Campus, Khandwa Road, Indore 452 001, India) ,  Phase D.M. (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, University Campus, Khandwa Road, Indore 452 001, India) ,  Ganesan V. (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, University Campus, Khandwa Road, Indore 452 001, India) ,  Stahn Jochen (Laboratory for Neutron Scattering and Imaging, Paul Scherrer Institut, CH-5232 Villigen PSI, Switzerland)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 84  ページ： 71-76  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,直流(dc)と高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)技術を用いて蒸着した非晶質炭素(a-C)薄膜を研究した。微細構造と電子特性は,2つの技術で堆積したa-C薄膜の微妙な違いを明らかにした。dcMSで堆積した膜はa-C薄膜で典型的に見られる滑らかな集合組織を持つが,HiPIMSで堆積した膜は多孔質微細構造で囲まれた密なヒロックから成る。a-C薄膜の密度はそれらの品質を判断する決定的なパラメータである。しばしば,X線反射率(XRR)を用いて炭素薄膜の密度を測定した。本研究から,炭素薄膜の密度,特に数10nmの厚さを持つ薄膜の密度の決定は,膜と基板の間の散乱コントラストが弱いために,XRRでは正確ではないことが分かった。飛行モードの時間における中性子反射率を利用することにより,炭素膜の密度をより正確に測定できることを示した。本研究では,直流および高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(dcMSおよびHiPIMS)により作製した非晶質炭素(a-C)薄膜を研究した。飛行時間(ToF)中性子反射率(NR)を用いて精密な密度測定を行い,炭素薄膜の研究にほとんど使用されていない技術である。薄い炭素膜の密度の決定に一般的に用いられるX線反射率法の限界を十分に実証した。炭素薄膜の密度決定におけるNRの著者らの実証は,炭素膜コミュニティに対する目印となり,関連する研究作業を強化するのに確かに役立つことが期待される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 品質 ,  *微細構造 ,  集合組織 ,  直流 ,  *薄膜 ,  コントラスト ,  飛翔 ,  多孔性
準シソーラス用語： 炭素膜 ,  中性子反射率 ,  炭素薄膜 ,  X線反射率 ,  アモルファスカーボン ,  HiPIMS ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  密度 ,  微細構造