文献

J-GLOBAL ID：201802272788226278   整理番号：18A0150115

高性能金属ハロゲン化物ペロブスカイト発光ダイオードから材料設計デバイス最適化【Powered by NICT】

High Performance Metal Halide Perovskite Light-Emitting Diode: From Material Design to Device Optimization

著者 (10件)： Shan Qingsong (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Song Jizhong (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Zou Yousheng (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Li Jianhai (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Xu Leimeng (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Xue Jie (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Dong Yuhui (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Han Boning (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Chen Jiawei (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Zeng Haibo (MIIT Key Laboratory of Advanced Display Materials and Devices, Herbert Gleiter Institute of Nanoscience, Institute of Optoelectronics & Nanomaterials, College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 45  ページ： ROMBUNNO.201701770  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ハロゲン化物ペロブスカイトは過去10年間で大きな関心を集めている。,狭帯域幅,全可視スペクトルを正確にかつ容易な調整可能な輝度,約100%までの高い光ルミネセンス量子収率のような,優れたオプトエレクトロニクス特性を金属ハロゲン化物ペロブスカイトは,次世代高精細ディスプレイと健康な照明システムに適したものにする。ペロブスカイト発光ダイオード(LED)の外部量子効率は三年間で0.1から11.7%に増加するが,エネルギー変換効率とペロブスカイトLEDの長期安定性は,実用的には不十分である。,材料設計,合成,表面不動態化,およびデバイス最適化に関して,発光層と素子構造を最適化するための戦略をレビューし,強調した。ペロブスカイトLEDの長期安定性も評価した。一方,ペロブスカイト材料とLEDの将来の開発のためのいくつかの課題と展望を同定した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー変換効率 ,  素子構造 ,  可視スペクトル ,  *最適化 ,  オプトエレクトロニクス ,  *発光ダイオード ,  光ルミネセンス ,  輝度 ,  量子収量 ,  *材料設計 ,  表示装置
準シソーラス用語： 発光層 ,  表面不動態化 ,  長期安定性 ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： efficiency ,  発光ダイオード ,  ペロブスカイト ,  安定性 ,  表面不動態化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  金属ハロゲン化物ペロブスカイト ,  発光ダイオード ,  材料設計 ,  最適化