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J-GLOBAL ID:201802272802694958   整理番号:18A1618481

電子受容官能化によるナノサイズ炭素ドットのバンドギャップ工学【JST・京大機械翻訳】

Bandgap engineering of nanosized carbon dots through electron-accepting functionalization
著者 (4件):
資料名:
巻: 65  ページ: 104-111  発行年: 2018年 
JST資料番号: W3170A  ISSN: 1226-086X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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電子受容部分による化学修飾によるナノサイズの炭素ドットのエネルギーバンドギャップの調整について報告する。炭素ドット誘導体を酸化と水熱反応により合成し,続いて付加/置換反応を行い,均一サイズの炭素ドットを得た。種々の顕微鏡的および分光学的技術を適用することにより,構造特性化および光物理的研究を行った。炭素ドットのバンドギャップは,吸収及び光ルミネセンス発光スペクトルの赤方偏移により証明されたように,ニトロ及びニトリル基による化学的官能化により制御された。密度汎関数理論に基づく計算を用いて,炭素ドットの官能化により観測されたバンドギャップ同調を支持した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体結晶の電子構造  ,  分子の電子構造  ,  炭素とその化合物  ,  半導体のルミネセンス  ,  無機化合物のルミネセンス 

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