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J-GLOBAL ID：201802272832258159   整理番号：18A0970343

Ge(111)基板上のGe_3Mn_5薄膜の磁気モーメントと磁気異方性:密度汎関数研究【JST・京大機械翻訳】

Magnetic moment and magnetic anisotropy of Ge₃Mn₅ thinfilms on Ge(111) substrate: A density functional study

著者 (7件)： Yuan H. K. (School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, People’s Republic of China) ,  Cui H. (School of Mechanical Engineering, Shaanxi University of Technology, Shanxi 723001, People’s Republic of China) ,  Liu B. (School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, People’s Republic of China) ,  Tian C. L. (School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, People’s Republic of China) ,  Wang J. Z. (School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, People’s Republic of China) ,  Kuang A. L. (School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, People’s Republic of China) ,  Chen H. (School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 148  号： 7  ページ： 074701-074701-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge_3Mn_5バルク,自立表面,およびGe_3Mn_5(001)|Ge(111)薄膜と超格子の磁性と磁気異方性エネルギー(MAE)を,相対論的第一原理電子構造計算を用いて系統的に研究した。Mn1終端内のGe(111)基板上のGe_3Mn_5吸着層に対して,磁化の方向は,1単分子層(ML)の厚さ(MAE=-0.50meV/ML)から3MLの厚さ(ほぼ不変のMAE=0.16meV/ML)で面外への遷移を受ける。表面/界面MAEはMn1終端に対して1.23/-0.54meVであった。対応する値はMn2/Ge終端に対して0.19/1.03meV;内部MAEはML当たり0.09meVであった。種々のGe_3Mn_5系に対して,面内格子膨張および/または層間距離収縮は,面外MAEを強化する。理論的磁気モーメントとMAEsは実験測定と良く一致した。最後に,MAEの開始を,電子構造解析による二次摂動の枠組みの下で解明した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 摂動 ,  *密度汎関数法 ,  相対論 ,  *磁気モーメント ,  層間隔 ,  構造解析 ,  超格子 ,  磁化 ,  単分子層 ,  *磁気異方性 ,  第一原理
準シソーラス用語： 格子膨張 ,  吸着層 ,  電子構造計算 ,  異方性エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  薄膜 ,  磁気モーメント ,  磁気異方性 ,  密度汎関数 ,  研究